[發(fā)明專利]用于物理氣相沉積裝置的輔助治具及其維護(hù)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710042419.3 | 申請(qǐng)日: | 2007-06-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101328571A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-12-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫佳儒;周鋒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/00 | 分類號(hào): | C23C14/00;C23C14/50 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 2012*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 物理 沉積 裝置 輔助 及其 維護(hù) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及物理氣相沉積工藝,尤其涉及用于物理氣相沉積的輔助治具及其維護(hù)方法。?
物理氣相沉積(Physical?Vapor?Deposition,PVD)是半導(dǎo)體器件制造的一項(xiàng)重要工藝,物理氣相沉積裝置包括腔體以及設(shè)置于腔體內(nèi)的靶材和加熱板,腔體側(cè)面還開(kāi)有進(jìn)氣口。通過(guò)向腔體內(nèi)通入高壓氣體,轟擊靶材產(chǎn)生金屬離子,使金屬離子均勻散落到晶圓表面以實(shí)現(xiàn)沉積。?
物理氣相沉積裝置在使用過(guò)程中需要采用輔助治具來(lái)加以配合,這些輔助治具包括:用于承載晶圓的沉積環(huán)(dep?ring),套設(shè)在沉積環(huán)上的圓環(huán)蓋板(coverring),用于覆蓋腔體內(nèi)側(cè)以吸附金屬離子的數(shù)塊擋板,以及加熱板預(yù)熱時(shí)使用的擋片(shutter?disc)。?
圖1是沉積環(huán)和圓環(huán)蓋板在使用狀態(tài)下的俯視圖,目前使用的沉積環(huán)1,其外徑尺寸Φ1小于圓環(huán)蓋板2的內(nèi)徑Φ2,因此,當(dāng)圓環(huán)蓋板2套設(shè)在沉積環(huán)1上時(shí),兩者之間存在較大的縫隙3,在沉積過(guò)程中容易發(fā)生相對(duì)移動(dòng)并產(chǎn)生火花,濺射出的火花顆粒掉落在晶圓上會(huì)形成缺陷,從而影響晶圓的良率。?
在加熱板的預(yù)熱過(guò)程中,為了防止金屬離子直接掉落在加熱板上影響其性能,需要在加熱板上放置擋片來(lái)阻擋金屬離子?,F(xiàn)有的擋片如圖2所示,其邊緣呈弧形,故對(duì)金屬離子的阻擋效果不佳,容易在加熱板對(duì)應(yīng)擋片邊緣的位置產(chǎn)生一定的顆粒污染。?
設(shè)置于物理氣相沉積裝置內(nèi)的這些輔助治具需要定期清洗維護(hù),通常采用酸或有機(jī)物溶液對(duì)沉積環(huán)、擋板、擋片等進(jìn)行清洗,去除掉大部分金屬離子后再放回腔體內(nèi)使用。然而,清洗后的輔助治具上會(huì)殘留部分酸或有機(jī)物溶液,對(duì)吸附力有一定影響,因此現(xiàn)有的沉積裝置,每工作75kw/h就需作一次清理維?
本發(fā)明的目的在于提供一種物理氣相沉積裝置及其維護(hù)方法,以減少氣相沉積過(guò)程中產(chǎn)生的顆粒污染現(xiàn)象,并延長(zhǎng)輔助治具的維護(hù)周期,降低維護(hù)成本,提高晶圓的產(chǎn)量。?
為了達(dá)到上述的目的,本發(fā)明提供一種物理氣相沉積裝置,所述的物理氣相沉積裝置具有腔體、加熱板和輔助治具,所述的輔助治具包括:用于承載晶圓的沉積環(huán),套設(shè)在沉積環(huán)上的圓環(huán)蓋板,用于覆蓋腔體內(nèi)側(cè)的數(shù)塊擋板,以及加熱板預(yù)熱時(shí)使用的擋片,其中,所述沉積環(huán)的外徑與圓環(huán)蓋板的內(nèi)徑大小相匹配,當(dāng)圓環(huán)蓋板套設(shè)在沉積環(huán)上時(shí),兩者不發(fā)生相對(duì)移動(dòng)。?
進(jìn)一步地,所述擋片的邊緣為直角。?
本發(fā)明還提供了一種維護(hù)物理氣相沉積裝置的方法,在對(duì)所述的輔助治具進(jìn)行清洗之后再執(zhí)行一高溫烘干步驟。?
進(jìn)一步地,該高溫烘干步驟在大于100攝氏度的氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行。?
本發(fā)明通過(guò)改善沉積環(huán)和圓環(huán)蓋板的匹配程度,改進(jìn)擋片的邊緣形狀,可有效減少物理氣相沉積及其預(yù)熱過(guò)程中對(duì)晶圓及加熱板造成的顆粒污染情況,通過(guò)在清洗輔助治具之后增加一高溫烘干步驟,可有效延長(zhǎng)輔助治具的維護(hù)周期,降低維護(hù)成本,提高晶圓的產(chǎn)量。?
附圖說(shuō)明
本發(fā)明的用于物理氣相沉積裝置的輔助治具由以下的實(shí)施例及附圖給出。?
圖1為沉積環(huán)和圓環(huán)蓋板在使用狀態(tài)下的俯視圖;?
圖2為現(xiàn)有的擋片的側(cè)視圖;?
圖3為本發(fā)明所采用的擋片的側(cè)視圖。?
具體實(shí)施方式
以下將對(duì)本發(fā)明的用于物理氣相沉積裝置的輔助治具及其維護(hù)方法作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。?
本發(fā)明的用于物理氣相沉積裝置的輔助治具包括沉積環(huán)、圓環(huán)蓋板、擋片和數(shù)塊擋板。參見(jiàn)圖1,為了防止氣相沉積過(guò)程中因沉積環(huán)1和圓環(huán)蓋板2發(fā)生相對(duì)移動(dòng)而產(chǎn)生火花造成晶圓表面的缺陷,本發(fā)明通過(guò)增加沉積環(huán)1的外徑Φ1來(lái)減小沉積環(huán)1與圓環(huán)蓋板2之間的縫隙3。于本發(fā)明的實(shí)施例中,保持圓環(huán)蓋板2的內(nèi)徑Φ2不變,而將沉積環(huán)1的外徑Φ1從原先的352mm增加到368mm,使兩者之間的縫隙3大大減小,從而避免了沉積環(huán)1和圓環(huán)蓋板2的相對(duì)移動(dòng)。?
在預(yù)熱加熱板的過(guò)程中,為了能夠更嚴(yán)密地遮蓋加熱板,本發(fā)明所采用的擋片具有如圖3所示的結(jié)構(gòu),其邊緣為直角,而非弧形,故不會(huì)出現(xiàn)加熱板對(duì)應(yīng)擋片邊緣處形成顆粒污染的現(xiàn)象。當(dāng)然,另一種替代方法是直接采用晶圓來(lái)進(jìn)行預(yù)熱,由于晶圓放置在加熱板上,其與加熱板之間的距離很小,原子很難進(jìn)入,因此能夠起到較好的阻擋效果。?
每當(dāng)氣相沉積裝置運(yùn)行一段時(shí)間后,需要采用酸或有機(jī)物溶劑對(duì)這些輔助治具進(jìn)行清洗。為了防止清洗溶劑的殘余影響到擋片、擋板的吸附力,本發(fā)明在清洗步驟之后還增加了一高溫烘干步驟,將清洗后的輔助治具置于100攝氏度以上的高溫環(huán)境中烘烤12小時(shí),并不斷通入氮?dú)?,使氮?dú)庋h(huán)流動(dòng)。經(jīng)過(guò)該烘干步驟后,輔助治具的表面不會(huì)留有較多的清洗溶劑殘余,其對(duì)金屬離子的吸附力較好,故使用時(shí)間也會(huì)增加,從而延長(zhǎng)了輔助治具的維護(hù)周期,降低了維護(hù)成本,提高了產(chǎn)率。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





