[發明專利]焊接金球的去除方法

有效

• 申請號: 200710042409.X
• 申請日: 2007-06-22
• 公開（公告）號: CN101329987A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 劉淑君;馮海英;宋潔
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;B09B1/00
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

技術領域

本發明涉及半導體領域的檢測分析技術，具體地說，涉及一種封裝芯片焊接金球的去除方法。

背景技術

對封裝后的芯片檢測通常是抽樣檢測，所以當部分芯片使用過程出現問題時，客戶就會將這些問題芯片退回，要求進行失敗原因檢測分析。在進行檢測分析時，首先需要將封裝表面的塑封體去除，然后將焊接金球去除后才能進行電路檢測分析。

目前業界的通常做法是采用煮沸的硝酸將塑封體去掉，然后再用王水將焊接金球去掉。通過測試發現，金球的邊緣部分和中心部分的蝕刻速度有很大差別，邊緣部分需要十分鐘的時間蝕刻掉，而中心部分需要約一分鐘就可以完全蝕刻掉。因此需要約十分鐘的蝕刻步驟才能將金球全部去除干凈。但是，長時間的蝕刻步驟，很容易破壞金球中心部分對應的下層金屬互連線，進而嚴重影響后續的電路檢測分析。

有鑒于此，需要提供一種新的焊接金球的去除方法以改善上述問題。

發明內容

本發明解決的技術問題在于提供一種可較好保護芯片金屬互連線的焊接金球的去除方法。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種焊接金球的去除方法，其包括：a.提供封裝后的芯片，其包括最外層的塑封體以及靠近焊接金球的芯片端面；b.對芯片端面進行研磨拋光步驟，研磨掉芯片端面的部分塑封體以及部分焊接金球；c.進行蝕刻步驟，將剩余焊接金球蝕刻掉。

所述步驟b在打磨機上進行，其中打磨機具有研磨盤以及可拆卸地安裝在研磨盤上的砂紙；進一步地，步驟b分為數個分步驟進行，且采用砂紙的顆粒以及設置的研磨盤轉速依次減小；進一步地，第一分步驟選擇顆粒為30um的砂紙，設置研磨盤的轉速為70r/m，對芯片端面進行研磨拋光，直至看到金球；然后進行第二分步驟，更換顆粒為15um的砂紙，設置研磨盤的轉速為40r/m，繼續對芯片端面進行研磨拋光，直至研磨掉金球邊緣的大部分；然后進行第三分步驟，選擇顆粒為6um的砂紙，設置研磨盤的轉速為30r/m繼續進行研磨，直至金球的邊緣部分全部被研磨掉。

進行步驟b時，與芯片端面對應的表面具有研磨方向標記，根據研磨方向標記進行研磨，使芯片端面各部分研磨的厚度相同。

步驟c的反應溶液是由濃度為79％的硝酸和濃度為49％的鹽酸以1∶3的比例混合而成的王水。

步驟c的蝕刻時間為一分鐘。

與現有技術相比，本發明焊接金球的去除方法通過研磨拋光步驟，將金球邊緣部分研磨掉，提高了剩余金球蝕刻均勻性；本發明僅需要較短的蝕刻步驟時間就可以將剩余金球完全去除，避免了因過長時間的蝕刻步驟對金球下面的金屬互連線的影響，從而起到了提高了后續電路檢測分析的正確性的有益效果。

附圖說明

圖1為本發明焊接金球的去除方法一實施例的流程圖。

具體實施方式

下面結合圖1對本發明焊接金球的去除方法一實施例作詳細描述。

本發明焊接金球的去除方法包括如下步驟：提供封裝后的芯片，其包括最外層的塑封體以及靠近焊接金球的端面；對該芯片的端面進行研磨拋光步驟，將芯片端面的大部分塑封體和部分金球研磨掉；進行清洗步驟，清洗研磨拋光步驟產生的雜質；進行蝕刻步驟，將剩余金球蝕刻掉。

所述研磨拋光步驟在打磨機上進行，該打磨機具有一個8寸的研磨盤，研磨盤上安裝有砂紙，其中砂紙可根據實際需要采用不同顆粒大小的類型。進行研磨拋光步驟時，芯片放在砂紙上面，用手按住芯片背面(與端面相對的表面)，設置研磨盤的轉速，對芯片的端面進行研磨拋光。本實施例中的研磨拋光步驟分三步進行：第一步選擇顆粒為30um的砂紙，設置研磨盤的轉速為70轉每分鐘(70r/m)對芯片端面進行研磨拋光，在研磨過程中，隔一定時間，就用顯微鏡觀察芯片端面，直至看到金球；然后進行第二步，更換顆粒為15um的砂紙，設置研磨盤的轉速為40r/m，繼續對芯片端面進行研磨拋光，直至研磨掉金球邊緣的大部分；然后進行第三步，選擇顆粒為6um的砂紙，設置研磨盤的轉速為30r/m繼續進行研磨，直至金球的邊緣部分全部被研磨掉，僅剩下與芯片鈍化層的金屬互連線接觸的中心部分。

另外，為了保證研磨的芯片端面具有較好的平整度，研磨拋光過程中，在芯片的背面刻上研磨方向標記，根據方向標記，變換不同方向進行研磨，從而確保芯片端面各部分研磨的厚度均大致相同。研磨的芯片端面平整度越高，蝕刻步驟中對金球蝕刻的均勻度也越高，這樣經過研磨拋光步驟后，金球剩下的中心部分的蝕刻速率會基本相同。