[發明專利]焊接金球的去除方法有效
| 申請號: | 200710042409.X | 申請日: | 2007-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN101329987A | 公開(公告)日: | 2008-12-24 |
| 發明(設計)人: | 劉淑君;馮海英;宋潔 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;B09B1/00 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 2012*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 焊接 去除 方法 | ||
1.一種焊接金球的去除方法,其特征在于,該去除方法包括如下步驟:a.提供封裝后的芯片,其包括最外層的塑封體以及靠近焊接金球的芯片端面;b.對芯片端面進行研磨拋光步驟,研磨掉芯片端面的部分塑封體以及部分焊接金球;c.進行蝕刻步驟,將剩余焊接金球蝕刻掉。
2.如權利要求1所述的焊接金球的去除方法,其特征在于:步驟b在打磨機上進行,其中打磨機具有研磨盤以及可拆卸地安裝在研磨盤上的砂紙。
3.如權利要求2所述的焊接金球的去除方法,其特征在于:步驟b分為數個分步驟進行,且采用砂紙的顆粒以及設置的研磨盤轉速依次減小。
4.如權利要求3所述的焊接金球的去除方法,其特征在于:步驟b分為三個分步驟進行:第一分步驟選擇顆粒為30um的砂紙,設置研磨盤的轉速為70r/m,對芯片端面進行研磨拋光,直至看到焊接金球;然后進行第二分步驟,更換顆粒為15um的砂紙,設置研磨盤的轉速為40r/m,繼續對芯片端面進行研磨拋光,直至研磨掉焊接金球邊緣的大部分;然后進行第三分步驟,選擇顆粒為6um的砂紙,設置研磨盤的轉速為30r/m繼續進行研磨,直至焊接金球的邊緣部分全部被研磨掉。
5.如權利要求2所述的焊接金球的去除方法,其特征在于:進行步驟b時,與芯片端面對應的表面具有研磨方向標記,根據研磨方向標記進行研磨,使芯片端面各部分研磨的厚度相同。
6.如權利要求1所述的焊接金球的去除方法,其特征在于:步驟c的反應溶液是由濃度為79%的硝酸和濃度為49%的鹽酸以1∶3的比例混合而成的王水。
7.如權利要求1所述的焊接金球的去除方法,其特征在于:步驟c的蝕刻時間為一分鐘。
8.如權利要求1所述的焊接金球的去除方法,其特征在于:步驟b和c之間還包括清洗步驟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





