[發明專利]一種只讀存儲器結構及相應的只讀存儲器無效
| 申請號: | 200710041861.4 | 申請日: | 2007-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN101325199A | 公開(公告)日: | 2008-12-17 |
| 發明(設計)人: | 朱敏;毛梅鳳 | 申請(專利權)人: | 上海浩晶數據系統有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/112 | 分類號: | H01L27/112;H01L23/522 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 200001上海市黃浦區北*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 只讀存儲器 結構 相應 | ||
1、一種只讀存儲器結構,包括多晶硅層和兩個布線層,其特征在于:還包括一個晶體管和3n層金屬,n為自然數;所述的3n層金屬以堆疊的形式通過一組通孔依次連接,若將3n層金屬從下到上依次標號為M2,M3,...,M3n+1,則第3n層金屬為連接層,其余金屬層為比特(bit)層;所述晶體管的柵極連接至多晶硅層,漏極通過布線層連接至比特層。
2、如權利要求1所述的只讀存儲器結構,其特征在于:連接層與相鄰的比特層之間還具有另一通孔。
3、如權利要求2所述的只讀存儲器結構,其特征在于:每個比特層的一端具有用于進行初始數據寫入的傳感器。
4、如權利要求3所述的只讀存儲器,其特征在于:所述比特層和連接層之間根據寫入的數據確定是否連通。
5、一種只讀存儲器,其特征在于:包括數個如權利要求1所述的只讀存儲器結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





