[發明專利]浸入式濕法工藝中防止硅片背面沾污正面的方法

有效

• 申請號: 200710041242.5
• 申請日: 2007-05-25
• 公開（公告）號: CN101312114A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 張擎雪;鄒建祥
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/67
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 周赤

本發明要解決的技術問題是提供一種浸入式濕法工藝中防止硅片背面沾污正面的方法，它可以有效減少浸入式濕法工藝處理后硅片背面的顆粒對硅片正面的沾污。

為解決上述技術問題，本發明的浸入式濕法工藝中防止硅片背面沾污正面的方法，利用在整批硅片進入濕法處理槽之前，將硅片的放置方式調整為相鄰硅片的正面對正面，背面對背面的放置方式，該方法是通過一硅片翻轉裝置完成的，所述硅片翻轉裝置包括一機械手和一旋轉臺，具體步驟為：

(1)在整批硅片進入濕法處理槽之前，將裝硅片的片盒放置于所述旋轉臺上，使片盒的中心與所述旋轉臺的旋轉軸對準，而后由所述機械手將位于片盒中的奇數位置或偶數位置的硅片取出；

(2)將所述旋轉臺水平旋轉180度，使旋轉臺上的所述片盒中的硅片旋轉180度；

(3)將步驟(1)中由所述機械手取出的硅片重新放入片盒中，使相鄰兩硅片處于正面對正面、背面對背面的方式，送入濕法處理槽中。

本發明的浸入式濕法工藝中防止背面沾污的方法，采用了使同一批次的硅片在進入濕法處理槽之前，相鄰硅片為正面相對或對面相對的方法，使得原有的硅片背面的顆粒或者沾污不直接對著硅片的正面，從而避免了現有技術中存在的硅片背面所攜帶的顆粒或雜質沾污到硅片正面的情況，降低了浸入式濕法清洗處理或浸入式濕法刻蝕處理后硅片的沾污，有效提高芯片的成品率。

附圖說明

下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：

圖1是現有技術中一批次硅片的放置方式；

圖2是本發明的一具體實施步驟示意圖；

圖3是實施本發明后硅片放置截面示意圖；

圖4是現有技術中硅片放置方式清洗后的缺陷示意圖；

圖5是實施本發明的硅片放置方式清洗后的缺陷示意圖。

具體實施方式

圖2給出了本發明的一具體實施例，在進行浸入式濕法工藝處理過程中，本發明的方法可通過一硅片翻轉裝置來完成，該硅片翻轉裝置包括一機械手和一旋轉臺，其工藝處理過程為：(1)在整批硅片進入濕法清洗槽之前，將裝硅片2的片盒1放置于旋轉臺上，使片盒的中心與所述旋轉臺的旋轉軸對準，先由機械手將位于片盒中的奇數位置或偶數位置的硅片取出(見圖2a)；(2)將旋轉臺水平旋轉180度，使旋轉臺上的片盒中的硅片旋轉180度(見圖2b)；(3)再將步驟(1)中由機械手取出的硅片重新放入片盒中(見圖2c和圖2d)，使相鄰兩硅片為正面3相對或背面4相對(見圖2e和圖3)，再送入濕法處理槽中進行濕法處理。通過這樣的方式，從而避免了硅片背面攜帶的顆粒或雜質粘污到硅片的正面，提高清洗的效率。在濕法處理完后，可進一步根據具體工藝的需要，利用上述硅片翻轉裝置，重復步驟(1)至(3)將硅片還原為正常的放置方式，即硅片正面朝一個方向放置。

圖5是應用本發明的硅片正面相對放置清洗后的缺陷圖，圖中硅片上的黑點為掃描檢測到的缺陷標記，大方框標注為對準標記。圖4為現有技術中硅片正面朝一個方向放置清洗后的缺陷圖，兩圖相比，可知利用本發明后進行濕法處理所得的硅片上的缺陷明顯減少。

上面所述的硅片翻轉裝置可以進行獨立安裝，也可以安裝于濕法工藝設備的投入端和取出端，將硅片翻轉裝置集成到濕法設備中的，在該設備作業過程中先進行硅片面對面翻轉，再進行工藝處理，處理完成后再通過相同步驟將硅片設置為正常放置方式。本發明的方法可以應用到多種濕法槽式工藝中，如離子注入后的去膠工藝，刻蝕后的去膠和清洗工藝。本發明還可應用到濕法刻蝕工藝中，以減少刻蝕過程中硅片背面攜帶的顆粒或雜質粘污到硅片的正面，其操作步驟同上。