[發明專利]浸入式濕法工藝中防止硅片背面沾污正面的方法有效
| 申請號： | 200710041242.5 | 申請日： | 2007-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN101312114A | 公開（公告）日： | 2008-11-26 |
| 發明（設計）人： | 張擎雪;鄒建祥 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 周赤 |
| 地址： | 201206上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 浸入 濕法 工藝 防止 硅片 背面 沾污 正面 方法 | ||
1.一種浸入式濕法工藝中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：在整批硅片進入濕法處理槽之前，將硅片的放置方式調整為相鄰硅片正面對正面，背面對背面的放置方式，該方法是通過一硅片翻轉裝置完成的，所述硅片翻轉裝置包括一機械手和一旋轉臺，具體步驟為：
(1)在整批硅片進入濕法處理槽之前，將裝硅片的片盒放置于所述旋轉臺上，使片盒的中心與所述旋轉臺的旋轉軸對準，而后由所述機械手將位于片盒中的奇數位置或偶數位置的硅片取出；
(2)將所述旋轉臺水平旋轉180度，使旋轉臺上的所述片盒中的硅片旋轉180度；
(3)將步驟(1)中由所述機械手取出的硅片重新放入片盒中，使相鄰兩硅片處于正面對正面、背面對背面的方式，送入濕法處理槽中。
2.按照權利要求1所述的浸入式濕法工藝中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述硅片翻轉裝置集成安裝于濕法工藝設備的投入端和取出端。
3.按照權利要求1至2中任一權利要求所述的浸入式濕法工藝中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述的浸入式濕法工藝為濕法清洗工藝。
4.按照權利要求1至2中任一權利要求所述的浸入式濕法工藝中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述的浸入式濕法工藝為濕法刻蝕工藝。
5.按照權利要求1至2中任一權利要求所述的浸入式濕法工藝中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述的浸入式濕法工藝為離子注入后的去膠工藝。
6.按照權利要求1至2中任一權利要求所述的浸入式濕法工藝中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述的浸入式濕法工藝為刻蝕后的去膠工藝。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
