[發明專利]熔絲結構及其形成方法

有效

• 申請號: 200710041095.1
• 申請日: 2007-05-23
• 公開（公告）號: CN101312153A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 歐陽雄;羅文哲;李智;黃強;姜敏
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/525
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種熔絲的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

依次在半導體襯底上形成第一介質層和多晶硅層，所述多晶硅層采用形成晶體管的多晶硅層；

在多晶硅層中形成至少兩個相鄰摻雜區域，所述兩個相鄰摻雜區域的導電類型相反；

在具有至少兩個摻雜區域的多晶硅層上形成硅化物層；

在硅化物層上形成第二介質層；

在第二介質層中形成通孔，所述通孔暴露出硅化物層；

采用導電材料填充通孔并與硅化物層相接觸；

在第二介質層上對著填充有導電材料的通孔位置形成金屬墊。

2.根據權利要求1所述的熔絲的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層中形成的摻雜區域為兩個，分別為在進行源/漏離子注入工藝中或者在進行源/漏延伸區離子注入工藝中同時形成。

3.根據權利要求1所述的熔絲的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層中形成的摻雜區域為三個，為在進行源/漏離子注入工藝中或者在進行源/漏延伸區離子注入工藝中同時形成。

4.根據權利要求1所述的熔絲的形成方法，其特征在于，所述通孔中填充的導電材料以及金屬墊為金屬鋁。

5.根據權利要求1所述的熔絲的形成方法，其特征在于，所述硅化物為金屬鎢、鈦、鎳、鈷、鉭或者鉑的硅化物。

6.一種熔絲結構，其特征在于，包括：

半導體襯底；

依次位于半導體襯底上的第一介質層和多晶硅層，所述多晶硅層采用形成晶體管的多晶硅層；

位于多晶硅層中的至少兩個相鄰摻雜區域，所述兩個相鄰摻雜區域的導電類型相反；

位于具有至少兩個摻雜區域的多晶硅層上的硅化物層；

位于硅化物層上的第二介質層；

位于第二介質層中的通孔以及填充于通孔內的導電材料；

位于第二介質層上對著填充有導電材料的通孔位置形成的金屬墊。

7.根據權利要求6所述的熔絲結構，其特征在于，所述多晶硅層中形成的摻雜區域依次為兩個，分別為在進行源/漏離子注入工藝中或者在進行源/漏延伸區離子注入工藝中同時形成。

8.根據權利要求6所述的熔絲結構，其特征在于，所述多晶硅層中形成的摻雜區域為三個，分別為在進行源/漏離子注入工藝中或者在進行源/漏延伸區離子注入工藝中同時形成。

9.根據權利要求6所述的熔絲結構，其特征在于，所述通孔中填充的導電材料以及金屬墊為金屬鋁。

10.根據權利要求6所述的熔絲結構，其特征在于，所述硅化物為金屬鎢、鈦、鎳、鉭或者鉑的硅化物。