[發(fā)明專利]熔絲結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710041095.1
• 申請(qǐng)日: 2007-05-23
• 公開（公告）號(hào): CN101312153A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 歐陽(yáng)雄;羅文哲;李智;黃強(qiáng);姜敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/525
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長(zhǎng)明

1.一種熔絲的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

依次在半導(dǎo)體襯底上形成第一介質(zhì)層和多晶硅層，所述多晶硅層采用形成晶體管的多晶硅層；

在多晶硅層中形成至少兩個(gè)相鄰摻雜區(qū)域，所述兩個(gè)相鄰摻雜區(qū)域的導(dǎo)電類型相反；

在具有至少兩個(gè)摻雜區(qū)域的多晶硅層上形成硅化物層；

在硅化物層上形成第二介質(zhì)層；

在第二介質(zhì)層中形成通孔，所述通孔暴露出硅化物層；

采用導(dǎo)電材料填充通孔并與硅化物層相接觸；

在第二介質(zhì)層上對(duì)著填充有導(dǎo)電材料的通孔位置形成金屬墊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層中形成的摻雜區(qū)域?yàn)閮蓚€(gè)，分別為在進(jìn)行源/漏離子注入工藝中或者在進(jìn)行源/漏延伸區(qū)離子注入工藝中同時(shí)形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層中形成的摻雜區(qū)域?yàn)槿齻€(gè)，為在進(jìn)行源/漏離子注入工藝中或者在進(jìn)行源/漏延伸區(qū)離子注入工藝中同時(shí)形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲的形成方法，其特征在于，所述通孔中填充的導(dǎo)電材料以及金屬墊為金屬鋁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲的形成方法，其特征在于，所述硅化物為金屬鎢、鈦、鎳、鈷、鉭或者鉑的硅化物。

6.一種熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

依次位于半導(dǎo)體襯底上的第一介質(zhì)層和多晶硅層，所述多晶硅層采用形成晶體管的多晶硅層；

位于多晶硅層中的至少兩個(gè)相鄰摻雜區(qū)域，所述兩個(gè)相鄰摻雜區(qū)域的導(dǎo)電類型相反；

位于具有至少兩個(gè)摻雜區(qū)域的多晶硅層上的硅化物層；

位于硅化物層上的第二介質(zhì)層；

位于第二介質(zhì)層中的通孔以及填充于通孔內(nèi)的導(dǎo)電材料；

位于第二介質(zhì)層上對(duì)著填充有導(dǎo)電材料的通孔位置形成的金屬墊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅層中形成的摻雜區(qū)域依次為兩個(gè)，分別為在進(jìn)行源/漏離子注入工藝中或者在進(jìn)行源/漏延伸區(qū)離子注入工藝中同時(shí)形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅層中形成的摻雜區(qū)域?yàn)槿齻€(gè)，分別為在進(jìn)行源/漏離子注入工藝中或者在進(jìn)行源/漏延伸區(qū)離子注入工藝中同時(shí)形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔中填充的導(dǎo)電材料以及金屬墊為金屬鋁。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅化物為金屬鎢、鈦、鎳、鉭或者鉑的硅化物。