[發(fā)明專利]淺溝槽隔離區(qū)形成方法、淺溝槽隔離區(qū)結(jié)構(gòu)及膜層形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710040982.7
• 申請日: 2007-05-21
• 公開（公告）號: CN101312146A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉明源;郭佳衢
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/31;H01L27/04
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李文紅

1.一種淺溝槽隔離區(qū)形成方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體基底上形成淺溝槽；

確定隔離層參數(shù)，所述確定隔離層參數(shù)包含確定所述隔離層的目標應(yīng)力值和厚度的操作；

確定與所述參數(shù)對應(yīng)的隔離層分布，所述隔離層包含至少一層壓應(yīng)力膜層和至少一層拉應(yīng)力膜層，所述壓應(yīng)力膜層和拉應(yīng)力膜層間隔相接；確定隔離層分布的步驟包含確定所述隔離層分基準值的操作，所述隔離層分基準值為各所述壓應(yīng)力膜層的厚度與其具有的應(yīng)力值的乘積和各拉應(yīng)力膜層的厚度與其具有的應(yīng)力值的乘積之和；所述壓應(yīng)力膜層和拉應(yīng)力膜層分別具有的厚度及應(yīng)力值可利用生產(chǎn)數(shù)據(jù)庫獲得；所述隔離層分基準值的絕對值和所述隔離層的厚度的比值與所述隔離層目標應(yīng)力值的差值小于或等于20MPa；

根據(jù)所述隔離層分布沉積隔離層內(nèi)壓應(yīng)力膜層和拉應(yīng)力膜層，所述隔離層覆蓋所述淺溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離區(qū)形成方法，其特征在于：沉積隔離層內(nèi)壓應(yīng)力膜層和拉應(yīng)力膜層的方法均為PECVD、HDPCVD、APCVD、LPCVD或HARP?SACVD中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離區(qū)形成方法，其特征在于：所述隔離層內(nèi)包含的壓應(yīng)力膜層和拉應(yīng)力膜層的數(shù)目相同或不相同。

4.一種膜層形成方法，其特征在于，包括：

形成半導(dǎo)體基體；

確定膜層參數(shù)，確定膜層參數(shù)的步驟包含確定所述膜層的目標應(yīng)力值和厚度的操作；

確定與所述參數(shù)對應(yīng)的膜層分布，所述膜層包含至少一層壓應(yīng)力層和至少一層拉應(yīng)力層，所述壓應(yīng)力層和拉應(yīng)力層間隔相接；確定膜層分布的步驟包含確定所述膜層分基準值的操作，所述膜層分基準值為各所述壓應(yīng)力層的厚度與其具有的應(yīng)力值的乘積和各拉應(yīng)力層的厚度與其具有的應(yīng)力值的乘積之和；所述壓應(yīng)力膜層和拉應(yīng)力膜層分別具有的厚度及應(yīng)力值可利用生產(chǎn)數(shù)據(jù)庫獲得；所述膜層分基準值的絕對值與所述膜層的厚度的比值與所述膜層目標應(yīng)力值的差值小于或等于20MPa；

根據(jù)所述分布沉積膜層內(nèi)壓應(yīng)力層和拉應(yīng)力層，所述膜層覆蓋所述半導(dǎo)體基體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的膜層形成方法，其特征在于：沉積膜層內(nèi)壓應(yīng)力層和拉應(yīng)力層的方法均為PECVD、HDPCVD、APCVD、LPCVD或HARPSACVD中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的膜層形成方法，其特征在于：所述膜層內(nèi)包含的壓應(yīng)力層和拉應(yīng)力層的數(shù)目相同或不相同。