[發(fā)明專利]集成電路內(nèi)雙極晶體管性能的調(diào)整方法及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710040981.2
• 申請(qǐng)日: 2007-05-21
• 公開（公告）號(hào): CN101312155A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊勇勝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/82
• 分類號(hào): H01L21/82;H01L21/8238;H01L21/331;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李文紅

1、一種集成電路內(nèi)雙極晶體管性能的調(diào)整方法，其特征在于，包括步驟：

確定MOS集成電路內(nèi)寄生的雙極晶體管的增益的偏離量；

根據(jù)所述增益的偏離量確定所述MOS集成電路內(nèi)摻雜區(qū)最深層的離子注入的工藝參數(shù)；

按照所述離子注入的工藝參數(shù)對(duì)所述摻雜區(qū)最深層進(jìn)行離子注入處理；

其中所述摻雜區(qū)至少包括阱區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)中的一個(gè)。

2、如權(quán)利要求1所述的調(diào)整方法，其特征在于，確定集成電路內(nèi)摻雜區(qū)最深層的離子注入的工藝參數(shù)包括步驟：

當(dāng)所述雙極晶體管增益所需的偏離量是負(fù)值時(shí)，增大所述阱區(qū)最深層的離子注入能量和/或劑量；

當(dāng)所述雙極晶體管增益所需的偏離量是正值時(shí)，減小所述阱區(qū)最深層的離子注入能量和/或劑量。

3、如權(quán)利要求1所述的調(diào)整方法，其特征在于，確定集成電路內(nèi)摻雜區(qū)最深層的離子注入的工藝參數(shù)包括步驟：

當(dāng)所述雙極晶體管增益所需的偏離量是負(fù)值時(shí)，減小所述源/漏區(qū)最深層的離子注入能量和/或劑量；

當(dāng)所述雙極晶體管增益所需的偏離量是正值時(shí)，增大所述源/漏區(qū)最深層的離子注入能量和/或劑量。

4、如權(quán)利要求1所述的調(diào)整方法，其特征在于，確定集成電路內(nèi)摻雜區(qū)最深層的離子注入的工藝參數(shù)包括步驟：

當(dāng)所述雙極晶體管增益所需的偏離量是負(fù)值時(shí)，增大所述阱區(qū)最深層的離子注入能量和/或劑量，和/或減小所述源/漏區(qū)最深層的離子注入能量和/或劑量；

當(dāng)所述雙極晶體管增益所需的偏離量是正值時(shí)，減小所述阱區(qū)最深層的離子注入能量和/或劑量，和/或增大所述源/漏區(qū)最深層的離子注入能量和/或劑量。

5、如權(quán)利要求1所述的調(diào)整方法，其特征在于：所述源極區(qū)包括輕摻雜漏區(qū)、所述輕摻雜漏區(qū)下層的上層源極區(qū)摻雜層、所述上層源極區(qū)摻雜層下層的最深層源極區(qū)摻雜層。

6、如權(quán)利要求1所述的調(diào)整方法，其特征在于：所述漏極區(qū)包括輕摻雜漏區(qū)、所述輕摻雜漏區(qū)下層的上層漏極區(qū)摻雜層、所述上層漏極區(qū)摻雜層下層的最深層漏極區(qū)摻雜層。

7、一種集成電路的制造方法，其特征在于，包括步驟：

確定MOS集成電路內(nèi)寄生的雙極晶體管所需達(dá)到的增益；

根據(jù)所述增益確定所述MOS集成電路內(nèi)摻雜區(qū)最深層的離子注入的工藝參數(shù)；

按照所述離子注入的工藝參數(shù)進(jìn)行離子注入處理，形成所述MOS集成電路內(nèi)的所述摻雜區(qū)最深層；

其中所述摻雜區(qū)至少包括阱區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)中的一個(gè)。

8、如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述源極區(qū)包括輕摻雜漏區(qū)、所述輕摻雜漏區(qū)下層的上層源極區(qū)摻雜層、所述上層源極區(qū)摻雜層下層的最深層源極區(qū)摻雜層。

9、如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述漏極區(qū)包括輕摻雜漏區(qū)、所述輕摻雜漏區(qū)下層的上層漏極區(qū)摻雜層、所述上層漏極區(qū)摻雜層下層的最深層漏極區(qū)摻雜層。