[發明專利]高密度印制電路板絕緣介質層的制作方法

有效

• 申請號: 200710040961.5
• 申請日: 2007-05-21
• 公開（公告）號: CN101312617A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 吳小龍;吳梅珠;邱雅玲;胡廣群;王阿紅;穆敦發;毛少昊
• 申請（專利權）人: 無錫江南計算技術研究所
• 主分類號: H05K3/22
• 分類號: H05K3/22;H05K1/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

技術領域

本發明涉及高密度印制電路板制作技術，特別涉及一種在完成內互連實心導電凸塊的印制電路板上制作絕緣介質層的制作方法。

背景技術

印刷電路板是以絕緣材料輔以導體配線所形成的結構性元件。在制成最終產品時，其上會安裝集成電路、電晶體、二極體、被動元件(如：電阻、電容、連接器等)及其他各種各樣的電子零件，借助于導線連通，可以形成電子訊號連結及應有機能。因此，印制電路板是一種提供元件連結的平臺，用以承接聯系零件的基地。

在電子產品趨于多功能復雜化的前提下，集成電路元件的接點距離隨之縮小，信號傳送的速度則相對提高，隨之而來的是接線數量的提高、點間配線的長度局部性縮短，這些就需要應用高密度線路配置及微孔技術來達成目標，這就產生了高密度印制電路板。

絕緣介質層在高密度印制電路板中通常用于不同線路層之間的絕緣隔離作用，一般采用環氧玻纖布粘結片或環氧樹脂。導電凸塊通常用于高密度印制電路板的不同線路層之間的導通。現有技術中，當印制電路板表面上已經形成有導電凸塊時，通常采用如下工藝形成絕緣介質層：將用于形成絕緣介質層的材料形成一單獨的絕緣介質層，例如采用玻璃布增強的粘結片作為絕緣介質層材料時，首先將玻璃布浸漬在環氧樹脂中，然后，將所述厚度的絕緣介質層與含有導電凸塊的高密度印刷電路板在高溫高壓條件下以壓制的方式結合在一起。所述的壓制溫度一般為120攝氏度至200攝氏度，壓制壓力為10Kg至20Kg。

但是，在高溫高壓的條件下采用壓制工藝將絕緣介質層與含有導電凸塊的印制電路板結合在一起時，由于導電凸塊的存在，導致絕緣介質層在含有導電凸塊處的受力與不含導電凸塊的核心板線路面處的受力不同，形成的絕緣介質層的厚度不均，而且導電凸塊所互連的底部線路面容易變形。在所述厚度不均的絕緣介質層上形成銅箔時，還會導致形成的銅箔變形，最終導致形成的高密度印制電路板導電性能變差。

因此，需要提供一種新的在含有導電凸塊的高密度印制電路板上形成絕緣介質層的方法。

發明內容

有鑒于此，本發明解決的技術問題是提供一種在高密度印制電路板上形成絕緣介質層的方法，以避免采用現有技術的壓制工藝形成絕緣介質層時導致形成的絕緣介質層厚度分布不均與線路面變形的缺陷。

因此，本發明提供一種高密度印制電路板絕緣介質層的制作方法，提供一種印制電路板，所述印制電路板包括核心板和位于核心板線路面上的導電凸塊，采用絲網印刷工藝在核心板線路面上形成絕緣介質層。

其中，在核心板一個線路面上形成絕緣介質層時，所述絲網印刷工藝包括如下步驟：粗化所述核心板線路面以及導電凸塊；在核心板線路面上絲網印刷絕緣介質層并進行預烘烤；預固化所述絕緣介質層；平整化所述絕緣介質層，暴露出導電凸塊的端面；后固化所述絕緣介質層。

其中，在核心板線路面上絲網印刷絕緣介質層并進行預烘烤的工藝進行1次以上。較好的，在核心板線路面上絲網印刷絕緣介質層并進行預烘烤的工藝進行2次，包括如下步驟：在核心板的線路面上絲網印刷第一絕緣介質層，絲網印刷的第一絕緣介質層的厚度為絕緣介質層總厚度的25％至30％；預烘烤第一絕緣介質層；在核心板的第一絕緣介質層上絲網印刷第二絕緣介質層，絲網印刷的第二絕緣介質層的厚度為絕緣介質層總厚度的70％至75％；預烘烤第二絕緣介質層，第一絕緣介質層和第二絕緣介質層組成所述絕緣介質層。

其中，在核心板兩個線路面上形成絕緣介質層時，所述絲網印刷工藝包括如下步驟：粗化所述核心板的兩個線路面以及線路面上的導電凸塊；在核心板的第一個線路面上絲網印刷絕緣介質層并進行預烘烤；在核心板的第二個線路面上絲網印刷絕緣介質層并進行預烘烤；預固化第一個線路面和第二個線路面上的絕緣介質層；平整化第一個線路面和第二個線路面上的絕緣介質層，暴露出導電凸塊的端面；后固化第一個線路面和第二個線路面上的絕緣介質層。

其中，在核心板的第一個線路面或者第二個線路面上絲網印刷絕緣介質層并進行預烘烤的工藝進行1次以上，較好的是進行2次。

在核心板線的第一個線路面或者第二個線路面上絲網印刷絕緣介質層的工藝包括如下步驟：在核心板的第一個線路面或者第二個線路面上絲網印刷第一絕緣介質層，絲網印刷的第一絕緣介質層的厚度為絕緣介質層總厚度的25％至30％；預烘烤第一絕緣介質層；在核心板的第一絕緣介質層上絲網印刷第二絕緣介質層，絲網印刷的第二絕緣介質層的厚度為絕緣介質層總厚度的70％至75％；預烘烤第二絕緣介質層，第一絕緣介質層和第二絕緣介質層組成所述在核心板的第一個線路面或者第二個線路面上的絕緣介質層。