[發明專利]適用于快閃存儲器的高密度釕納米晶的原子層淀積制備方法有效

申請號：	200710040766.2	申請日：	2007-05-17
公開（公告）號：	CN101060077A	公開（公告）日：	2007-10-24
發明（設計）人：	丁士進;陳瑋;張敏;張衛	申請（專利權）人：	復旦大學
主分類號：	H01L21/28	分類號：	H01L21/28;H01L21/285
代理公司：	上海正旦專利代理有限公司	代理人：	陸飛;盛志范
地址：	20043***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	適用于閃存高密度納米原子層淀積制備方法
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【權利要求書】：

1、一種適用于快閃存儲器的高密度釕納米晶的原子層淀積制備方法，其特征在于具體步驟如下：

第一步、在經過清洗的硅片表面熱生長一層SiO₂或采用原子層淀積的方法生長高介電常數介質薄膜；

第二步、用原子層淀積的方法在第一步驟制得的氧化物薄膜或高介電常數介質薄膜上生長釕納米晶，反應前體分別為RuCp₂和氧氣；淀積溫度為280-350℃，反應腔氣壓為1-5乇，原子層淀積反應循環數為10-400周期；單個反應循環包括1-3秒鐘RuCp₂載氣通入，2-10秒鐘氮氣吹洗，1-3秒鐘氧氣通入，2-10秒鐘氮氣吹洗；

第三步、高溫快速熱退火，退火溫度為800-900℃，退火時間為15-60秒。

2、根據權利要求1所述的適用于快閃存儲器的高密度釕納米晶的原子層淀積制備方法，其特征在于所述的高介電常數介質為HfO₂或Al₂O₃。

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