[發明專利]不同工藝規則SRAM圖形的快速修改方法有效

申請號：	200710040714.5	申請日：	2007-05-16
公開（公告）號：	CN101308516A	公開（公告）日：	2008-11-19
發明（設計）人：	張興洲	申請（專利權）人：	上海華虹NEC電子有限公司
主分類號：	G06F17/50	分類號：	G06F17/50
代理公司：	上海浦一知識產權代理有限公司	代理人：	周赤
地址：	201206上***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	不同工藝規則 sram 圖形快速修改方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及一種集成電路版圖的數據處理方法，特別是涉及一種集成電路版圖中SRAM圖形的快速修改方法。

背景技術

在深亞微米工藝的IC產品中，客戶提交的版圖中經常會使用經過OPC(光學臨近效應修正)處理的SRAM?Cell(靜態存儲器版圖單元)。由于業內采用的OPC模型不盡相同，因此客戶提交的版圖往往不符合代工制造商的生產工藝要求。為了解決該問題，需要修改客戶提交的版圖，將其中不符合生產工藝的SRAM?Cell修改為符合生產工藝的SRAM?Cell。這個過程是由代工制造商的掩模版設計工程師完成的，目前是通過人工查閱客戶提交的整個版圖，查找出其中的每一個SRAM?Cell，將其與自身可實施的每一個SRAM?Cell進行逐一對比，找到與之最接近的SRAM?Cell；然后使用自身可實施的、且與客戶使用的SRAM?Cell最接近的SRAM?Cell替換客戶使用的SRAM?Cell。上述查找、比較和替換的全套人工操作不僅效率低下，而且存在較大的設計出錯風險。

GDSII文件是目前IC業界通用的集成電路版圖存儲格式，它是一種二進制的數據結構，以二進制數據流形式進行存儲。目前GDSII格式有著70種記錄(record)用于存儲版圖的各種信息，包括版圖的結構信息、坐標信息、層次信息等。以GDSII文件直接進行數據處理，往往比利用版圖編輯工具效率更高，因為可以省掉數據導入和導出的時間。如果可以利用GDSII文件直接進行版圖中SRAM圖形的查找、比較和替換的工作，則不僅可以大幅度提高效率，而且大大增強了可靠性。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種不同工藝規則間集成電路版圖中SRAM圖形的快速修改方法。

為解決上述技術問題，本發明不同工藝規則SRAM圖形的快速修改方法包括以下步驟：

第一步，建立一個SRAM?Cell庫，該SRAM?Cell庫中存儲著所有可實施的SRAM?Cell版圖數據，該SRAM?Cell庫是以GDSII格式存儲的；

第二步，同時讀入待修改的版圖文件和SRAMCell庫，查找出這兩個GDSII文件中的每一個SRAM?Cell；

第三步，利用GDSII文件的階層化結構，以二維圖形的布爾運算為基礎，比較待修改的版圖文件中的一個SRAM?Cell和SRAM?Cell庫中的每一個SRAM?Cell，直至找出與待修改的版圖文件中的SRAM?Cell相似的SRAMCell庫中的SRAM?Cell；

第四步，將待修改的版圖文件中的SRAM?Cell以SRAM?Cell庫中的與之相似的SRAM?Cell進行替換；

第五步，重復上述第三步至第四步，直至待修改的版圖文件中的每一個SRAM?Cell都找出了與之相似的SRAM?Cell庫中的SRAM?Cell，并以SRAMCell庫中的與之相似的SRAM?Cell進行替換。

所述的不同工藝規則SRAM圖形的快速修改方法，是以二進制的方式讀入GDSII文件，以二進制數據流的方式查找SRAM?Cell，以二進制數據流的方式替換SRAM?Cell的。

本發明可以達到的技術效果是使得不同工藝規則間SRAM圖形的快速修改成為可能，同時可以大幅度提高效率并增強可靠性。根據本發明原理設計的程序在某0.18μm工藝的集成電路上進行實驗，在其他條件相同的情況下，原先人工操作需要一天多才能完成的SRAM圖形修改任務，現在僅需約8分鐘即可完成。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步詳細的說明：