[發明專利]不同工藝規則SRAM圖形的快速修改方法

有效

• 申請號: 200710040714.5
• 申請日: 2007-05-16
• 公開（公告）號: CN101308516A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 張興洲
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 周赤

1.一種不同工藝規則SRAM圖形的快速修改方法，其特征是：該方法包括以下步驟：

第一步，建立一個SRAM?Cell庫，該SRAM?Cell庫中存儲著所有可實施的SRAM?Cell版圖數據，該SRAM?Cell庫是以GDSII格式存儲的；

第二步，同時讀入待修改的版圖文件和SRAM?Cell庫，查找出這兩個GDSII文件中的每一個SRAM?Cell；

第三步，利用GDSII文件的階層化結構，以二維圖形的布爾運算為基礎，比較待修改的版圖文件中的一個SRAM?Cell和SRAM?Cell庫中的每一個SRAM?Cell，直至找出與待修改的版圖文件中的SRAM?Cell相似的SRAMCell庫中的SRAM?Cell；

第四步，將待修改的版圖文件中的SRAM?Cell以SRAM?Cell庫中的與之相似的SRAM?Cell進行替換；

第五步，重復上述第三步至第四步，直至待修改的版圖文件中的每一個SRAM?Cell都找出了與之相似的SRAM?Cell庫中的SRAM?Cell，并以SRAMCell庫中的與之相似的SRAM?Cell進行替換；

上述第三步中，比較兩個SRAM?Cell是否相似包括以下步驟：

第1步，比較兩個SRAM?Cell的層數，如果層數不相同，則判定為不相似；如果層數相同，則繼續進行比較；

第2步，兩個SRAM?Cell中的第一層圖形分別與自身進行或運算，然后計算兩個SRAM?Cell中與自身進行過或運算的第一層圖形的面積，將其中較大的面積值設為A；

第3步，對兩個SRAM?Cell中與自身進行過或運算的第一層圖形進行與運算，將運算所得圖形的面積值設為B；

第4步，計算誤差圖形面積λ，λ＝|A-B|/A；

第5步，為λ值設定一個上限，如果λ值在該上限外，則判定為不相似；如果λ值在該上限內，則繼續進行比較；

第6步，對兩個SRAM?Cell中的第二層圖形、第三層圖形……第n層圖形重復上述第二步至第五步，直至兩個SRAM?Cell的所有相同層比較完畢，如果所有相同層的λ值都在該上限內，則判定為相似；如果有任何λ值在該上限外，則判定為不相似。

2.根據權利要求1所述的不同工藝規則SRAM圖形的快速修改方法，其特征是：該方法是以二進制的方式讀入GDSII文件，以二進制數據流的方式查找SRAM?Cell，以二進制數據流的方式替換SRAM?Cell的。

3.根據權利要求1所述的不同工藝規則SRAM圖形的快速修改方法，其特征是：λ值的上限為小于或等于5％。