[發(fā)明專利]一種干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710040653.2
• 申請日: 2007-05-15
• 公開（公告）號: CN101307447A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樓豐瑞;徐旻;張建;石鍺元
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: C23F4/00
• 分類號: C23F4/00
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的清洗，特別涉及一種干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法。

背景技術(shù)

等離子刻蝕設(shè)備在進(jìn)行刻蝕的過程中，除刻蝕需刻蝕的絕緣膜或金屬外，也會刻蝕涂覆在晶圓上的光阻，刻蝕光阻的生成物易沉積在反應(yīng)腔內(nèi)壁上，當(dāng)?shù)入x子刻蝕設(shè)備工作一段時間(例如射頻時間超過150小時)后，所述沉積在反應(yīng)腔內(nèi)壁上，且含有碳氧成分的薄膜就會脫落，其可能會落到正在進(jìn)行刻蝕的晶圓上，如此將會影響刻蝕或污染晶圓，故需定期的對等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔進(jìn)行清洗，例如型號為Lam2300的等離子刻蝕設(shè)備，其射頻時間達(dá)到150小時時，就需對反應(yīng)腔進(jìn)行清洗。現(xiàn)清洗等離子刻蝕設(shè)備時需將反應(yīng)腔打開，并采用人工方式清洗例如使用浸潤有水的無塵布對所述反應(yīng)腔進(jìn)行擦拭。

上述將反應(yīng)腔打開且采用人工清洗的方式過程復(fù)雜且用時較久，浪費了時間及人力，再者通過人工方式也很難將反應(yīng)腔內(nèi)壁上的薄膜清洗干凈。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，通過所述方法可簡化等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的清洗過程，且大大節(jié)約人力成本。

本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的：一種干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，該等離子刻蝕設(shè)備具有一用于產(chǎn)生射頻輸出的射頻發(fā)生器，該方法包括以下步驟：(1)驅(qū)動等離子刻蝕設(shè)備至一穩(wěn)定狀態(tài)；(2)啟動射頻發(fā)生器輸出一預(yù)設(shè)功率的射頻，并在反應(yīng)腔中通入預(yù)設(shè)流量的氧氣，進(jìn)行一預(yù)設(shè)時間的干法清洗。

在上述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法中，該第一預(yù)設(shè)時間范圍為40分鐘至50分鐘。

在上述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法中，該干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法還包括步驟(3)，停止射頻發(fā)生器，并在反應(yīng)腔中繼續(xù)通入該預(yù)設(shè)流量的氧氣，進(jìn)行第二預(yù)設(shè)時間的冷卻。

在上述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法中，該第二預(yù)設(shè)時間范圍為20分鐘至30分鐘。

在上述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法中，該預(yù)設(shè)流量范圍為300至400標(biāo)準(zhǔn)毫升每分。

在上述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法中，該穩(wěn)定狀態(tài)為反應(yīng)腔壓力范圍為8至10帕斯卡，氦氣壓力為1000帕斯卡。

在上述的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法中，該預(yù)設(shè)功率為1000瓦。

與現(xiàn)有技術(shù)中將反應(yīng)腔拆開且進(jìn)行人工清洗相比，本發(fā)明的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法在反應(yīng)腔中通入氧氣，使氧氣與反應(yīng)腔內(nèi)壁上的含碳?xì)湓氐谋∧ぐl(fā)生反應(yīng)，從而無需打開干法等離子刻蝕設(shè)備，無需人工清洗就可將反應(yīng)腔的內(nèi)壁徹底清洗干凈，如此簡化了清洗過程，提高了清洗質(zhì)量，并大大節(jié)約人力成本。

附圖說明

本發(fā)明的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法由以下的實施例及附圖給出。

圖1為本發(fā)明的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法的流程圖。

具體實施方式

以下將對本發(fā)明的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

本發(fā)明中的干法清洗等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的方法，用于清洗等離子刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔，其中，所述等離子刻蝕設(shè)備具有一用于產(chǎn)生射頻輸出的射頻發(fā)生器，所述等離子刻蝕設(shè)備在進(jìn)行刻蝕后其反應(yīng)腔內(nèi)壁上會沉積有含碳氧元素的薄膜，本發(fā)明的方法首先進(jìn)行步驟S10，驅(qū)動等離子刻蝕設(shè)備至一穩(wěn)定狀態(tài)。在本實施例中，所述穩(wěn)定狀態(tài)為反應(yīng)腔壓力范圍為8至10帕斯卡，氦氣壓力為1000帕斯卡。

接著繼續(xù)步驟S11，啟動射頻發(fā)生器輸出預(yù)設(shè)功率的射頻，并在反應(yīng)腔中通入預(yù)設(shè)流量的氧氣，進(jìn)行第一預(yù)設(shè)時間的干法清洗，其中，所述干法清洗是指氧氣與反應(yīng)腔內(nèi)壁上的含碳?xì)湓氐谋∧ぐl(fā)生反應(yīng)，生成可方便排出反應(yīng)腔的二氧化碳和水蒸汽。在本實施例中，反應(yīng)腔壓力為9帕斯卡，所述預(yù)設(shè)功率為1000瓦，所述預(yù)設(shè)流量范圍為300至400標(biāo)準(zhǔn)毫升每分，所述第一預(yù)設(shè)時間范圍為40分鐘至50分鐘。

接著繼續(xù)步驟S12，停止射頻發(fā)生器，并在反應(yīng)腔中繼續(xù)通入所述預(yù)設(shè)流量的氧氣，進(jìn)行第二預(yù)設(shè)時間的冷卻。在本實施例中，所述第二預(yù)設(shè)時間范圍為20分鐘至30分鐘。

在本發(fā)明其他實施例中，步驟S10中的所述穩(wěn)定狀態(tài)除包括反應(yīng)腔壓力范圍為8至10帕斯卡，氦氣壓力為1000帕斯卡外，還可包括通入所述預(yù)設(shè)流量的氧氣。