[發明專利]一種干法清洗等離子刻蝕設備反應腔的方法無效
| 申請號： | 200710040653.2 | 申請日： | 2007-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN101307447A | 公開（公告）日： | 2008-11-19 |
| 發明（設計）人： | 樓豐瑞;徐旻;張建;石鍺元 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | C23F4/00 | 分類號： | C23F4/00 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 清洗 等離子 刻蝕 設備 反應 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種干法清洗等離子刻蝕設備反應腔的方法，該等離子刻蝕設備具有一用于產生射頻輸出的射頻發生器，其特征在于，該方法包括以下步驟：(1)驅動等離子刻蝕設備至一穩定狀態；(2)啟動射頻發生器輸出一預設功率的射頻，并在反應腔中通入預設流量的氧氣，進行一第一預設時間的干法清洗。
2、如權利要求1所述的干法清洗等離子刻蝕設備反應腔的方法，其特征在于，該第一預設時間范圍為40分鐘至50分鐘。
3、如權利要求1所述的干法清洗等離子刻蝕設備反應腔的方法，其特征在于，該干法清洗等離子刻蝕設備反應腔的方法還包括步驟(3)，停止射頻發生器，并在反應腔中繼續通入該預設流量的氧氣，進行第二預設時間的冷卻。
4、如權利要求3所述的干法清洗等離子刻蝕設備反應腔的方法，其特征在于，該第二預設時間范圍為20分鐘至30分鐘。
5、如權利要求1或3所述的干法清洗等離子刻蝕設備反應腔的方法，其特征在于，該預設流量范圍為300至400標準毫升每分。
6、如權利要求1所述的干法清洗等離子刻蝕設備反應腔的方法，其特征在于，該穩定狀態為反應腔壓力范圍為8至10帕斯卡，氦氣壓力為1000帕斯卡。
7、如權利要求1所述的干法清洗等離子刻蝕設備反應腔的方法，其特征在于，該預設功率為1000瓦。
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