[發明專利]半導體器件的離子注入方法有效
| 申請號： | 200710040643.9 | 申請日： | 2007-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN101308786A | 公開（公告）日： | 2008-11-19 |
| 發明（設計）人： | 何永根;戴樹剛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/266 | 分類號： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 離子 注入 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種離子注入方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
提供半導體基體，其包括半導體襯底、沉積于襯底上的柵氧化層以及位于柵氧化層上面的多晶硅層；
在多晶硅層上面生成保護氧化層；
在保護氧化層上鍍光刻膠，進行曝光、蝕刻、顯影步驟；
進行預摻雜步驟，使注入離子穿過保護氧化層注入多晶硅層內；
移除光刻膠；
移除保護氧化層。
2.如權利要求1所述的離子注入方法，其特征在于：所述保護氧化層設置的厚度范圍是20-100埃。
3.如權利要求1所述的離子注入方法，其特征在于：所述保護氧化層在高溫爐中生成。
4.如權利要求1所述的離子注入方法，其特征在于：所述保護氧化層在快速熱氧化系統中生成。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
