[發(fā)明專(zhuān)利]一種防止封裝芯片上的頂層金屬層斷裂的方法及測(cè)試結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710040532.8 | 申請(qǐng)日： | 2007-05-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101304013A | 公開(kāi)（公告）日： | 2008-11-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周華陽(yáng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L23/485 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L23/485;H01L23/522;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海智信專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201203*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 防止 封裝 芯片 頂層 金屬 斷裂 方法 測(cè)試 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種防止封裝芯片上的頂層金屬層斷裂的方法，其特征在于：在頂層金屬層和鋁焊墊之間的連接處引入下層金屬層，并在頂層金屬層和下層金屬層之間的連接處通過(guò)金屬插塞連接，以及在下層金屬層與鋁焊墊下的頂層金屬層之間的連接處通過(guò)金屬插塞連接，且所述金屬插塞個(gè)數(shù)大于25個(gè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止封裝芯片上的頂層金屬層斷裂的方法，其特征在于：所述金屬插塞個(gè)數(shù)的最佳取值為100個(gè)。
3.一種防止芯片上的頂層金屬斷裂的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包括：頂層金屬層，下層金屬層，鋁焊墊和金屬插塞；所述頂層金屬層和所述下層金屬層之間，所述下層金屬層和所述鋁焊墊之間皆是通過(guò)所述金屬插塞來(lái)連接的，且所述金屬插塞個(gè)數(shù)大于25個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種防止封裝芯片上的頂層金屬層斷裂的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬插塞個(gè)數(shù)的最佳取值為100個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種防止封裝芯片上的頂層金屬層斷裂的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述鋁焊墊的個(gè)數(shù)是2個(gè)，包括1個(gè)電流和電壓正接口，1個(gè)電流和電壓負(fù)接口。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種防止封裝芯片上的頂層金屬層斷裂的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述鋁焊墊的個(gè)數(shù)是4個(gè)，包括1個(gè)電流正接口，1個(gè)電流負(fù)接口，1個(gè)電壓負(fù)接口，1個(gè)電壓正接口。
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