[發(fā)明專利]一種防止封裝芯片上的頂層金屬層斷裂的方法及測試結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710040532.8 | 申請日： | 2007-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN101304013A | 公開（公告）日： | 2008-11-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周華陽 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L23/522;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 防止 封裝 芯片 頂層 金屬 斷裂 方法 測試 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種防止封裝芯片上的頂層金屬層斷裂的方法，其特征在于：在頂層金屬層和鋁焊墊之間的連接處引入下層金屬層，并在頂層金屬層和下層金屬層之間的連接處通過金屬插塞連接，以及在下層金屬層與鋁焊墊下的頂層金屬層之間的連接處通過金屬插塞連接，且所述金屬插塞個數(shù)大于25個。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止封裝芯片上的頂層金屬層斷裂的方法，其特征在于：所述金屬插塞個數(shù)的最佳取值為100個。
3.一種防止芯片上的頂層金屬斷裂的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包括：頂層金屬層，下層金屬層，鋁焊墊和金屬插塞；所述頂層金屬層和所述下層金屬層之間，所述下層金屬層和所述鋁焊墊之間皆是通過所述金屬插塞來連接的，且所述金屬插塞個數(shù)大于25個。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種防止封裝芯片上的頂層金屬層斷裂的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬插塞個數(shù)的最佳取值為100個。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種防止封裝芯片上的頂層金屬層斷裂的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述鋁焊墊的個數(shù)是2個，包括1個電流和電壓正接口，1個電流和電壓負接口。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種防止封裝芯片上的頂層金屬層斷裂的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述鋁焊墊的個數(shù)是4個，包括1個電流正接口，1個電流負接口，1個電壓負接口，1個電壓正接口。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經(jīng)中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710040532.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種耐老化高分子強力繩的制作方法
- 下一篇：一種染料廢水脫色的有效方法
