[發明專利]柵極制造方法有效
| 申請號： | 200710040258.4 | 申請日： | 2007-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN101295641A | 公開（公告）日： | 2008-10-29 |
| 發明（設計）人： | 黃怡;張海洋;杜珊珊 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李文紅 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柵極 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種柵極制造方法，包括：
在半導體基底上沉積張應力膜層；
進行應力記憶工藝，強化半導體基底內的應力類型為壓應力；
去除所述張應力膜層；
在所述半導體基底上沉積柵層；
刻蝕所述柵層。
2.根據權利要求1所述的柵極制造方法，其特征在于：所述沉積張應力膜層的工藝為PECVD工藝。
3.根據權利要求2所述的柵極制造方法，其特征在于：所述張應力膜層材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或碳氧化硅中的一種及其組合。
4.根據權利要求2所述的柵極制造方法，其特征在于：所述張應力膜層材料為氮化硅。
5.根據權利要求4所述的柵極制造方法，其特征在于：所述沉積張應力膜層的反應氣體包括硅烷、氨氣、氮氣和氦氣。
6.根據權利要求5所述的柵極制造方法，其特征在于：所述反應氣體中氮氣與氦氣的體積百分比濃度大于或等于35％。
7.根據權利要求5所述的柵極制造方法，其特征在于：所述硅烷的流量范圍為10～20sccm。
8.根據權利要求5所述的柵極制造方法，其特征在于：所述氨氣的流量范圍為5～10sccm。
9.根據權利要求5所述的柵極制造方法，其特征在于：所述氮氣與氦氣的混合氣體的流量范圍為2000～4000sccm。
10.根據權利要求5所述的柵極制造方法，其特征在于：所述反應室內壓力范圍為1000～1500mTorr。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
