[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710040252.7 | 申請日： | 2007-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN101295731A | 公開（公告）日： | 2008-10-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王津洲 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 李文紅 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 | ||
1、一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底，位于半導(dǎo)體襯底上的柵極介電層、位于柵極介電層上的柵極，和半導(dǎo)體襯底內(nèi)位于柵極溝道層與介電層兩側(cè)的源極和漏極，其特征在于：所述襯底上的柵極溝道層與兩側(cè)的源極和漏極中的主要帶電離子為相同型態(tài)。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底為硅、或四價元素物質(zhì)、或三價與五價元素的混合物。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述柵極溝道層中包含有三價離子摻雜物，所述摻雜物為硼、氟化硼、鎵、銦、鉈、或鋁之中的任意一種或者多種。
4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述柵極溝道層中離子摻雜物的濃度為1E14到2E16/cm3。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述源極和漏極中包含有三價離子摻雜物，所述摻雜物為硼、氟化硼、鎵、銦、鉈、或鋁之中的任意一種或者多種。
6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述源極和漏極中離子摻雜物的濃度為2E18到2E21/cm3。
7、根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述柵極溝道層中離子摻雜物的濃度為1E15到2E17/cm3。
8、根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述源極和漏極中離子摻雜物的濃度為1E19到4E21/cm3。
9、一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底，位于半導(dǎo)體襯底上的第一N型阱和第二N型阱，所述第一N型阱和第二N型阱分別具有柵極溝道層、柵極介電層、位于柵極介電層上的柵極和位于柵極介電層上的柵極兩側(cè)的間隙壁，以及半導(dǎo)體襯底內(nèi)位于柵極溝道層與介電層兩側(cè)的源極和漏極，沿源極、漏極和柵極表面延伸的連接界面層，其特征在于：所述襯底上的柵極溝道層與兩側(cè)的源極和漏極中的主要帶電離子為相同型態(tài)。
10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底為硅、或四價元素物質(zhì)、或三價與五價元素的混合物。
11、根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述N型阱中包含有五價離子摻雜物，所述摻雜物為磷、砷、銻、鉍、或者氮之中的任意一種，或者多種。
12、根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述柵極溝道層中包含有三價離子摻雜物，所述摻雜物為硼、氟化硼、鎵、銦、鉈、或鋁之中的任意一種，或者多種。
13、根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述源極和漏極中包含有三價離子摻雜物，所述摻雜物為硼、氟化硼、鎵、銦、鉈、或鋁之中的任意一種，或者多種。
14、根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述N型阱中離子摻雜物的濃度為1E16到4E19/cm3。
15、根據(jù)權(quán)利要求9或12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第一N型阱的柵極溝道層中離子摻雜物的濃度為1E14到2E16/cm3。
16、根據(jù)權(quán)利要求9或13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第一N型阱的源極和漏極中離子摻雜物的濃度為2E18到2E21/cm3。
17、根據(jù)權(quán)利要求9或12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第二N型阱的柵極溝道層中離子摻雜物的濃度為1E15到2E17/cm3。
18、根據(jù)權(quán)利要求9或13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第二N型阱的源極和漏極中離子摻雜物的濃度為1E19到4E21/cm3。
19、根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述連接界面層包含有金屬硅化物。
20、根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述金屬硅化物的金屬成分含鈷、鎳、鉬、鈦、鎢、銅、或者鈮。
21、根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述柵極介電層的厚度為10到100埃。
22、根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述柵極兩側(cè)的間隙壁為單層或多層硅化物介電質(zhì)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
