[發明專利]半導體器件及半導體器件的柵極制作方法有效
| 申請號： | 200710040239.1 | 申請日： | 2007-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN101295730A | 公開（公告）日： | 2008-10-29 |
| 發明（設計）人： | 魏瑩璐;寧先捷 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/49 | 分類號： | H01L29/49;H01L29/772;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李文紅 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 柵極 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件，包括襯底和位于所述襯底之上的多晶硅柵極，其特征在于：所述多晶硅柵極為至少由兩層以上的多晶硅層組成的多層結構，且相鄰多晶硅層的晶粒大小不同，所述多層結構中包括非晶硅層，所述非晶硅層的厚度要小于
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述多層結構中，晶粒越小的多晶硅層厚度越小。
3.一種半導體器件的柵極制作方法，包括步驟：
提供襯底；
在所述襯底上沉積第一多晶硅層；
在所述第一多晶硅層上沉積第二多晶硅層，且所述第一多晶硅層與所述第二多晶硅層的晶粒大小不同；在沉積第二多晶硅層之后，還沉積了一層非晶硅層，所述非晶硅層的厚度要小于
在所述襯底上形成柵極圖形；
刻蝕所述襯底，形成柵極。
4.如權利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述第一多晶硅層的晶粒大于所述第二多晶硅層的晶粒。
5.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述第一多晶硅層的厚度大于所述第二多晶硅層的厚度。
6.如權利要求3所述的制作方法，其特征在于：沉積非晶硅層之后，還對所述襯底進行了離子注入處理。
7.如權利要求3所述的制作方法，其特征在于：沉積第一和第二多晶硅層時還進行了在位摻雜處理。
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