[發明專利]一種掩模版的制造方法

有效

• 申請號: 200710039783.4
• 申請日: 2007-04-20
• 公開（公告）號: CN101290468A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 李德君;佟大明
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

技術領域

本發明涉及半導體器件制造工藝，尤其涉及一種掩模版的制造方法。

背景技術

現有的錫鉛凸塊(bumping)制造工藝，通常是采用如圖1所示的具有曝光圖形10的掩模版1(黑色代表不透光部分)，在涂覆有負性光阻的晶圓上進行曝光，從而將曝光圖形10轉移到晶圓上。通常，相鄰兩個曝光場的邊緣幾乎重合，因此，有時會出現曝光場邊緣欠顯影(underdeveloper)的問題，即應該形成開口的地方，經光刻、顯影后沒有完全打開，還殘留著部分光阻。這些光阻殘留物會對后續的電鍍制程起到阻礙作用，并進而影響產品的良率。

造成欠顯影的主要原因是由于曝光場邊緣區域的二次曝光。參見圖2a，當采用如圖1所示的掩模版1進行曝光時，曝光光線通過掩模版1的透光區域(除曝光圖形10以外的區域)照射到晶圓3表面的負性光阻2上，吸收了光線的光阻2的特性發生改變，使其在后續的顯影制程中被保留下來，而未照光的部分將被去除。

當完成一個曝光場的曝光后，掩模版1被移動到下一個曝光場進行下一次曝光。如圖2b所示，由于兩個曝光場的邊緣幾乎重合，使得在進行后一次曝光時，曝光光線的二級、三級散射光會照射到前一個曝光場的已曝光區域21。由于該區域21已受過光照，其對光線的吸收系數大大降低，使得這部分散射光透過已曝光區域21反射或者折射到未曝光區域22，導致未曝光區域22的部分光阻特性發生改變，使其在顯影過程中無法去除。

圖3顯示了圖2b中的晶圓3經顯影后得到的結果，其中，應當形成開孔的區域22形成了一部分光阻殘留，對后續的電鍍制程造成不良影響。

發明內容

本發明的目的在于提供一種掩模版的制造方法，以解決錫鉛凸塊工藝中產生的欠顯影問題。

為了達到上述的目的，本發明提供一種掩模版的制造方法，所述掩模版用于錫鉛凸塊工藝，通過曝光將掩模版上的曝光圖形轉移到涂覆有負性光阻的晶圓上形成電路圖形，且相鄰曝光場的間距很小，所述方法包括下列步驟：(1)提供一掩模基板；(2)在掩模基板上形成曝光圖形；以及(3)在掩模基板的邊緣形成具有一定寬度的擋光區域，以防止曝光光線經掩模版照射到相鄰曝光場的電路圖形上，并且所述擋光區域的寬度隨著光阻厚度的增加而增加。

本發明的掩模版制造方法，通過在掩模版邊緣增加一擋光區域，使每個曝光場的邊緣都留有一定寬度的未曝光區域，當散射光照射到該邊緣未曝光區域時，會被該區域的光阻直接吸收，從而避免了散射光進一步反射或者折射到其它未曝光區域，防止了欠顯影的產生，有效提高了產品的良率。

通過以下實施例并結合其附圖的描述，可以進一步理解其發明的目的、具體結構特征和優點。其中，附圖為：

附圖說明

圖1為現有工藝中采用的掩模版的結構示意圖；

圖2a和圖2b為采用圖1所示的掩模版進行曝光的示意圖；

圖3為對圖2b所示的經曝光的晶圓進行顯影后的示意圖；

圖4為采用本發明的方法制造的掩模版的結構示意圖；

圖5為光阻厚度與掩模版擋光區域寬度的關系曲線圖；

圖6a和圖6b為采用圖4所示的掩模版進行曝光的示意圖；

圖7為對圖6b所示的經曝光的晶圓進行顯影后的示意圖。

以下將對本發明的掩模版制造方法作進一步的詳細描述。

具體實施方式

本發明所制造的掩模版主要用于Bumping工藝，通過曝光將掩模版上的曝光圖形轉移到涂覆有負性光阻的晶圓上以形成所需的電路圖形。

參照圖4，本發明的掩模版制造方法依次包括：提供一掩模基板1；在掩模基板1上形成曝光圖形10；以及在掩模基板1的邊緣形成具有一定寬度w的擋光區域11。該擋光區域11用于防止曝光光線經掩模版1照射到相鄰曝光場的電路圖形上，擋光區域11寬度w的設置是根據光阻的厚度來決定的。

表1列出了擋光區域寬度w和光阻厚度之間的取值關系，于實際的制造工藝中，允許光阻厚度存在±5微米的偏差，因此，表中所列的光阻厚度數據均可上下浮動5微米。