[發明專利]一種掩模版的制造方法有效
| 申請號： | 200710039783.4 | 申請日： | 2007-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN101290468A | 公開（公告）日： | 2008-10-22 |
| 發明（設計）人： | 李德君;佟大明 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 模版 制造 方法 | ||
1.一種掩模版的制造方法，所述掩模版用于錫鉛凸塊工藝，通過曝光將掩模版上的曝光圖形轉移到涂覆有負性光阻的晶圓上形成電路圖形，且相鄰曝光場的間距很小，其特征在于，所述方法包括下列步驟：
(1)提供一掩模基板；
(2)在掩模基板上形成曝光圖形；以及
(3)在掩模基板的邊緣形成具有一定寬度的擋光區域，以防止曝光光線經掩模版照射到相鄰曝光場的電路圖形上，并且所述擋光區域的寬度隨著光阻厚度的增加而增加。
2.如權利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于：當光阻的厚度在30±5微米的范圍內時，擋光區域的寬度設定在2.5±0.75微米的范圍內。
3.如權利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于：當光阻的厚度在50±5微米的范圍內時，擋光區域的寬度設定在4±1.2微米的范圍內。
4.如權利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于：當光阻的厚度在60±5微米的范圍內時，擋光區域的寬度設定在5±1.5微米的范圍內。
5.如權利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于：當光阻的厚度在70±5微米的范圍內時，擋光區域的寬度設定在6±1.8微米的范圍內。
6.如權利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于：當光阻的厚度在80±5微米的范圍內時，擋光區域的寬度設定在6.75±2微米的范圍內。
7.如權利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于：當光阻的厚度在100±5微米的范圍內時，擋光區域的寬度設定在7.5±2.25微米的范圍內。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
