[發明專利]利用深亞微米技術制造高電壓裝置的方法

無效

• 申請號: 200710039437.6
• 申請日: 2007-04-12
• 公開（公告）號: CN101286451A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 高榮正
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/43;H01L29/49
• 代理公司: 上海光華專利事務所
• 代理人: 余明偉

1、?一種利用深亞微米技術制造高電壓的裝置，其特征在于包括下列步驟：

提供一基板，該基板包含，一柵極結構，位于該基板上，該柵極結構由下而上依次由一柵極氧化層及一多晶硅層組成，該柵極結構兩側有一源/漏極區，該源/漏極區內分別有一第一離子摻雜區及一第二離子摻雜區，該第一離子摻雜區及該第二離子摻雜區并未貫穿該源/漏極區；

沉積一介電層于該柵極結構上；

用一干式非等向性刻蝕方式對該介電層進行間隙壁刻蝕形成柵極間隙壁；

形成一圖案化金屬圖案化金屬硅化物層于該第一離子摻雜區及該第二離子摻雜區上，該圖案化金屬層的水平寬度小于該第一離子摻雜區及該第二離子摻雜區的水平寬度。

2、?根據權利要求1所述的利用深亞微米技術制造高電壓的裝置，其特征在于：該第一離子摻雜區及該第二離子摻雜區系屬相同離子摻雜。

3、?根據權利要求1所述的利用深亞微米技術制造高電壓的裝置，其特征在于：該第一離子摻雜區及該第二離子摻雜區系P⁺型離子摻雜或N-型離子摻雜。

4、?根據權利要求1所述的利用深亞微米技術制造高電壓的裝置，其特征在于：該圖案化金屬圖案化金屬硅化物層形成的圖案化為通過一圖案化光致抗蝕涂層形成。

5、?根據權利要求1所述的利用深亞微米技術制造高電壓的裝置，其特征在于：該圖案化金屬圖案化金屬硅化物層形成的圖案化所經過的刻蝕工藝為一干式刻蝕及一濕式刻蝕。

6、?一種MOS組件的結構，包括具有半導體組件的基板，其特征在于該基板包含：

一柵極結構，由下而上依次由一柵極氧化層及一多晶硅層組成；

該柵極結構之源/漏極區位于該柵極結構的兩側內，一第一離子摻雜區及一第二離子摻雜區分別位于該柵極結構的源/漏極之內；

一圖案化金屬圖案化金屬硅化物層，位于該柵極結構、該第一離子摻雜區及該第二離子摻雜區上，位于該第一離子摻雜區及該第二離子摻雜區上的該圖案化金屬圖案化金屬硅化物層其水平寬度小于該第一離子摻雜區及該第二離子摻雜區，通過該圖案化金屬圖案化金屬硅化物層來降低柵極結構及源/漏極與外部連接的接觸電阻及繼續維持柵極結構的擊穿電壓。

7、?根據權利要求6所述的MOS組件的結構，其特征在于：該第一離子摻雜區及該第二離子摻雜區系屬相同離子摻雜。

8、?根據權利要求6所述的MOS組件的結構，其特征在于：該第一離子摻雜區及該第二離子摻雜區系P⁺型離子摻雜或N^-型離子摻雜。

9、?根據權利要求6所述的MOS組件的結構，其特征在于：該圖案化金屬圖案化金屬硅化物層形成的圖案化是通過一圖案化光致抗蝕涂層形成。

10、?根據權利要求6所述的MOS組件的結構，其特征在于：該圖案化金屬圖案化金屬硅化物層形成的圖案化所經過的刻蝕工藝為一干式刻蝕及一濕式刻蝕。