[發明專利]焊墊刻蝕的方法

無效

• 申請號: 200710039195.0
• 申請日: 2007-04-06
• 公開（公告）號: CN101281868A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發明（設計）人: 蔣巍;王宏玲;石小兵
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/321
• 分類號: H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/60;H01L21/28
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

技術領域

本發明涉及半導體刻蝕制程，尤其涉及一種焊墊刻蝕的方法。

背景技術

焊墊刻蝕的制程通常包括刻蝕，去除光刻膠以及清洗三個步驟。焊墊刻蝕包括如下步驟：首先，充入氬氣及氧氣，清洗焊墊表面，去除殘留在焊墊表面上的光阻劑及其他在之前制程中殘留的聚合物；然后再充入氬氣，氧氣，四氟化碳以及三氟化碳的混合氣體，從而刻蝕焊墊上的氮化物層；之后充入氬氣，氧氣，以及八氟化四碳的混合氣體，以去除焊墊上的氧化物層；最后充入氬氣，氧氣及四氟化碳的混合氣體，去除氮化鈦以及部分的鋁層，使鋁暴露出來。

在去除氧化物層的步驟中，充入的八氟化四碳很容易產生大量的聚合物粘貼在焊墊的側壁。焊墊在刻蝕過程中或者刻蝕后，聚合物容易從側壁脫落。在后續的清洗制程需要徹底清洗側壁的聚合物，然而，通常由于焊墊刻蝕時產生的聚合物不容易被清洗干凈，從而降低焊墊的良率。

現有技術有兩種方法解決上述缺陷，一種是增加去除光刻膠的時間或者在去除光刻膠的過程中添加一些氣體，這種方法需要改進去除光刻膠的設備，會較大提高生產成本。另外一種方法是在制程中增設一個濕法清洗制程以徹底清洗焊墊的側壁，然而，由于增設了一個制程，延長了生產的周期，降低了焊墊的產量。

發明內容

本發明的目的在于提供一種焊墊刻蝕方法，該方法產生的聚合物更容易清洗。

為實現上述目的，本發明提供一種焊墊刻蝕的方法，其包括如下步驟：清洗焊墊表面，依次刻蝕氮化物層，氧化物層以及氮化鈦以使鋁暴露出來；其中，該方法在刻蝕氧化物層時同時充入產生聚合物較少的氣體。

所述產生聚合物較少的氣體為四氟化碳。

刻蝕氧化物層時需要充入氬氣，氧氣，四氟化碳以及八氟化四碳的混合氣體，以去除焊墊上的氧化物層。

刻蝕氧化物層降低八氟化四碳的濃度以便四氟化碳充入。

與現有技術相比，本發明有效解決了由于八氟化四碳產生的聚合物較多而造成焊墊側壁的聚合物不易被清洗的缺點，在不影響刻蝕效果的前提下適量降低八氟化四碳的濃度，而對應加入四氟化碳，有效減少在焊墊側壁生成的聚合物，該聚合物更容易在后續清洗制程中清洗干凈。

具體實施方式

焊墊刻蝕的方法包括如下步驟：首先，充入氬氣及氧氣，清洗焊墊表面，去除殘留在焊墊表面上的光阻劑及其他在之前制程中殘留的聚合物；然后再充入氬氣，氧氣，四氟化碳以及三氟化碳的混合氣體，從而刻蝕焊墊上的氮化物層；之后充入氬氣，氧氣，四氟化碳以及八氟化四碳的混合氣體，以去除焊墊上的氧化物層；最后充入氬氣，氧氣及四氟化碳的混合氣體，去除氮化鈦以及部分的鋁層，使鋁暴露出來。

本發明的特點在于去除氧化物層的過程中降低了八氟化四碳的濃度，并加入了四氟化碳氣體。由于八氟化四碳產生的聚合物較多，而四氟化碳產生的聚合物較少，所以在不影響刻蝕效果的前提下適量降低八氟化四碳的濃度，而對應加入四氟化碳，會有效減少在焊墊側壁生成的聚合物，該聚合物更容易在后續清洗制程中清洗干凈。