[發(fā)明專(zhuān)利]具有深溝槽的半導(dǎo)體器件的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710039193.1
• 申請(qǐng)日: 2007-04-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101281865A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王立;黃晶
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/306
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/306;H01L21/76
• 代理公司: 上海智信專(zhuān)利代理有限公司
• 代理人: 王潔

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及具有深溝槽(deep?trench)的半導(dǎo)體器件的制造方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，一般采用深溝槽蝕刻技術(shù)來(lái)制造功率開(kāi)關(guān)器件。請(qǐng)參閱圖1及圖2，現(xiàn)有功率開(kāi)關(guān)器件的制造方法一般包括如下步驟：提供半導(dǎo)體襯底1；對(duì)半導(dǎo)體襯底表面因自然放置形成的氧化膜的進(jìn)行蝕刻步驟；對(duì)半導(dǎo)體襯底1進(jìn)行主蝕刻，即蝕刻深溝槽2。但是采用現(xiàn)有的制造方法后，在后續(xù)向半導(dǎo)體襯底1及深溝槽2沉積氧化層后，深溝槽2的頂端就會(huì)變小。這樣導(dǎo)致后續(xù)沉積的多晶硅晶格排列不整齊，很容易出現(xiàn)縫隙，從而嚴(yán)重影響功率開(kāi)關(guān)器件的導(dǎo)電性能。

因此，需要提供一種新的制造方法克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種導(dǎo)電性能好的具有深溝槽的半導(dǎo)體器件的制造方法。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種具有深溝槽的半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括如下步驟：提供半導(dǎo)體襯底；對(duì)半導(dǎo)體襯底表面對(duì)應(yīng)欲蝕刻深溝槽的位置處進(jìn)行淺溝槽蝕刻步驟；對(duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行主蝕刻，即在淺溝槽的基礎(chǔ)上蝕刻所述深溝槽，其中淺溝槽的寬度大于深溝槽的寬度。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制造方法采用在深溝槽蝕刻步驟之前進(jìn)行淺溝槽蝕刻步驟，且淺溝槽的寬度大于深溝槽的寬度，使得后續(xù)在半導(dǎo)體襯底沉積氧化層步驟后，不會(huì)出現(xiàn)深溝槽頂端變小的情況，進(jìn)而使得后續(xù)沉積的多晶硅晶格排列整齊，減少縫隙出現(xiàn)，從而起到提高半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電性能的有益效果。

附圖說(shuō)明

通過(guò)以下對(duì)本發(fā)明一實(shí)施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解其發(fā)明的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。其中，附圖為：

圖1為現(xiàn)有制造方法中對(duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行深溝槽蝕刻后的示意圖。

圖2為現(xiàn)有制造方法中對(duì)半導(dǎo)體襯底沉積氧化層后的示意圖。

圖3為采用本發(fā)明制造方法中對(duì)半導(dǎo)體襯底蝕刻淺溝槽的示意圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明公開(kāi)了一種具有深溝槽的半導(dǎo)體器件的制造方法。該方法包括如下步驟：提供半導(dǎo)體襯底10；采用四氟化碳(CF4)蝕刻氣體，蝕刻半導(dǎo)體襯底表面因自然放置而產(chǎn)生的氧化膜，其中四氟化碳?xì)怏w流量為50sccm(Standard?Cubic?Centimeter?per?Minute，每分鐘標(biāo)準(zhǔn)毫升)，蝕刻時(shí)間為15秒；采用溴化氫(HBr)和二氧化氦(HeO2)蝕刻氣體，對(duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行點(diǎn)火(Ignition)步驟，即對(duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行淺溝槽40蝕刻，其中溴化氫的氣體流量為100sccm，二氧化氦的氣體流量為20sccm，蝕刻時(shí)間為15秒；采用氧氣、六氟化硫(SF6)、三氟甲烷(CHF3)及氬氣(Ar)蝕刻氣體，在淺溝槽40的位置處繼續(xù)向下對(duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行深溝槽20蝕刻，氧氣的氣體流量80sccm，六氟化硫的氣體流量40sccm，三氟甲烷的氣體流量25sccm，氬氣的氣體流量75sccm，蝕刻時(shí)間為40秒，其中淺溝槽40的寬度大于深溝槽20的寬度。

接下來(lái)的步驟即對(duì)半導(dǎo)體襯底沉積氧化層，氧化層覆蓋所述深溝槽20的側(cè)壁和底壁。由于位于深溝槽20頂端的淺溝槽40的寬度大于深溝槽20的寬度，因此氧化層沉積后不會(huì)造成深溝槽20頂端變小的情況，這樣在沉積多晶硅時(shí)不易產(chǎn)生縫隙，多晶硅的晶格排列規(guī)則。采用此種制造方法獲得的半導(dǎo)體器件獲得較好的導(dǎo)電性能。