[發明專利]具有深溝槽的半導體器件的制造方法無效
| 申請號： | 200710039193.1 | 申請日： | 2007-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN101281865A | 公開（公告）日： | 2008-10-08 |
| 發明（設計）人： | 王立;黃晶 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 深溝 半導體器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種具有深溝槽的半導體器件的制造方法，其包括如下步驟：提供半導體襯底；對半導體襯底進行深溝槽蝕刻；其特征在于：在深溝槽蝕刻之前還包括對半導體襯底表面對應深溝槽位置處進行淺溝槽蝕刻步驟，所述深溝槽是在淺溝槽的基礎上蝕刻的，且淺溝槽的寬度大于深溝槽的寬度。
2.?如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：在蝕刻前溝槽步驟前還包括對半導體襯底表面因自然放置形成的氧化膜的蝕刻步驟。
3.?如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：淺溝槽蝕刻步驟中，采用的蝕刻氣體為溴化氫。
4.?如權利要求3所述的制造方法，其特征在于：溴化氫的氣體流量為100sccm。
5.?如權利要求3所述的制造方法，其特征在于：淺溝槽蝕刻步驟中，采用的蝕刻氣體還包括二氧化氦。
6.?如權利要求5所述的制造方法，其特征在于：二氧化氦的氣體流量為20sccm。
7.?如權利要求1和3-6中任一項所述的制造方法，其特征在于：淺溝槽的蝕刻時間為15秒。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
