[發(fā)明專利]一種可提高柵極氧化層均勻性的功率MOS管的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710039184.2
• 申請日: 2007-04-06
• 公開（公告）號: CN101281869A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設計）人: 朱立平;陳彤;馮長青
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/285;H01L21/316
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.?一種可提高柵極氧化層均勻性的功率MOS管的制作方法，該功率MOS管制作在硅襯底上，該方法包括以下步驟：(1)通過對硅襯底進行重摻雜來制作漏極區(qū)；(2)制作一與該漏極區(qū)摻雜類型相同且輕摻雜的外延層；(3)光刻并刻蝕出柵極凹槽；(4)通過干氧氧化制作預定厚度的柵極氧化層；(5)在該柵極凹槽中制作柵極；(6)在該外延層上制作一與該漏極區(qū)摻雜類型相反的反型襯底；(7)在該反型襯底上制作一與該漏極區(qū)摻雜類型相同且重摻雜的源極區(qū)；(8)制作柵極電極、源極電極和漏極電極；其中，該柵極凹槽的深度大于反型襯底和源極區(qū)的總厚度；其特征在于，在步驟(4)中，通過流量范圍為15至18升/分鐘的氧氣進行干氧氧化。

2.?如權利要求1所述的可提高柵極氧化層均勻性的溝槽型MOS管的制作方法，其特征在于，在步驟(4)中，氧化溫度為1100攝氏度，氧化時間為20至30分鐘。

3.?如權利要求1所述的可提高柵極氧化層均勻性的溝槽型MOS管的制作方法，其特征在于，該柵極凹槽為U型槽。

4.?如權利要求3所述的可提高柵極氧化層均勻性的溝槽型MOS管的制作方法，其特征在于，該U型槽的深寬比大于1.5。

5.?如權利要求1所述的可提高柵極氧化層均勻性的溝槽型MOS管的制作方法，其特征在于，該預定厚度為600埃。

6.?如權利要求1所述的可提高柵極氧化層均勻性的溝槽型MOS管的制作方法，其特征在于，該柵極為多晶硅柵極。