[發(fā)明專利]互補性金屬氧化物半導體場效應晶體管的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710037833.5 | 申請日： | 2007-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN101261958A | 公開（公告）日： | 2008-09-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 趙猛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 互補性 金屬 氧化物 半導體 場效應 晶體管 制造 方法 | ||
1.?一種互補性金屬氧化物半導體場效應晶體管的制造方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
a.提供半導體襯底，半導體襯底包括核心器件區(qū)域和輸入/輸出器件區(qū)域，在核心器件區(qū)域和輸入/輸出器件區(qū)域的半導體襯底上形成有柵氧化層和位于柵氧化層上的柵極；
b.進行再氧化柵氧化層及柵極的步驟，在柵氧化層以及柵極的側壁形成柵氧化壁；
c.掩模核心器件區(qū)域，在輸入/輸出器件源漏低摻雜區(qū)進行離子注入；
d.對輸入/輸出器件源漏低摻雜區(qū)進行退火氧化步驟，在柵氧化壁的側壁生成側墻，退火氧化的溫度范圍是650℃-850℃，側墻生長時間為10min-150min。
2.?如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：在步驟d中，退火氧化的溫度條件是650℃-850℃，生長時間為30min-150min。
3.?如權利要求2所述的制造方法，其特征在于：在步驟d中，退火氧化的溫度條件是650℃-680℃，生長時間為30min-150min。
4.?如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：在步驟d中，退火氧化的溫度條件是700℃-850，生長時間為10min-80min。
5.?如權利要求4所述的制造方法，其特征在于：在步驟d中，退火氧化的溫度條件是700℃-850，生長時間為10min-60min。
6.?如權利要求5所述的制造方法，其特征在于：在步驟d中，退火氧化的溫度條件是700℃-850℃，生長時間為30min-60min。
7.?如權利要求1-6項中任一項所述的制造方法，其特征在于：該制造方法還包括掩模輸入/輸出器件源漏低摻雜區(qū)，對核心器件源漏低摻雜區(qū)進行離子注入。
8.?如權利要求7項所述的制造方法，其特征在于：步驟c包括對輸入/輸出器件源漏低摻雜區(qū)進行至少兩種離子注入。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
