[發(fā)明專利]濕法蝕刻裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710037442.3 | 申請(qǐng)日: | 2007-02-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101246807A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 段海東;賴力彰;肖方;張正榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;G05B19/04;F04D15/00;F04D15/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 逯長(zhǎng)明 |
| 地址: | 201203*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 濕法 蝕刻 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及對(duì)晶圓進(jìn)行濕法蝕刻的濕法蝕刻裝置。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體工藝中,完成了顯影檢驗(yàn)步驟后,掩膜版的圖案就被固定在光刻膠上并準(zhǔn)備進(jìn)行蝕刻,在蝕刻后,圖案就會(huì)被永久地轉(zhuǎn)移到晶圓的表層。所述蝕刻是通過(guò)光刻膠暴露區(qū)域來(lái)去掉晶圓最表層的工藝。蝕刻工藝主要有兩大類:濕法蝕刻和干法蝕刻。兩種方法的主要目標(biāo)是將光刻掩膜版上的圖案精確地轉(zhuǎn)移到晶圓的表面,其他蝕刻工藝的目標(biāo)包括一致性、邊緣輪廓控制、選擇性、潔凈度和所有權(quán)成本最低化。其中,濕法蝕刻是將晶圓沉浸于裝有蝕刻劑的反應(yīng)槽中過(guò)一定時(shí)間,使得蝕刻劑與晶圓表面層產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)將表面層去除。目前,主要有硅濕法蝕刻、二氧化硅濕法蝕刻、鋁膜濕法蝕刻、淀積氧化物濕法蝕刻和氮化硅濕法蝕刻幾種濕法蝕刻工藝。
授權(quán)公告號(hào)為CN1257533C的中國(guó)專利公開了一種濕法蝕刻裝置,通過(guò)一個(gè)可編程邏輯控制器控制清潔液存儲(chǔ)槽對(duì)過(guò)濾器進(jìn)行自動(dòng)水洗,以避免操作錯(cuò)誤,提高產(chǎn)品的生產(chǎn)合格率。然而對(duì)于一些比較特殊的濕法蝕刻工藝,例如氮化硅濕法蝕刻工藝,通過(guò)將水作為反應(yīng)物質(zhì),磷酸作為催化劑,與晶圓表面的鈍化層氮化硅進(jìn)行反應(yīng)達(dá)到去除氮化硅的目的。反應(yīng)式如下:這個(gè)蝕刻過(guò)程是先將磷酸與通過(guò)補(bǔ)給泵輸送的水在緩沖槽中混合,再依次通過(guò)循環(huán)泵、加熱器和過(guò)濾器將經(jīng)加熱的混合液輸送到反應(yīng)槽中。但當(dāng)濕法蝕刻裝置發(fā)現(xiàn)有漏液情況時(shí),會(huì)報(bào)警并停止循環(huán)泵的工作,此時(shí)由于控制濕法蝕刻裝置的軟件設(shè)計(jì)缺陷,補(bǔ)給泵仍在工作,這樣的話,大量的水就會(huì)滯留于緩沖槽中而無(wú)法進(jìn)入反應(yīng)槽。一旦循環(huán)泵重新開始工作,大量的水沒(méi)有與磷酸充分混合就會(huì)加熱后涌入反應(yīng)槽中,水會(huì)劇烈沸騰,造成晶圓損壞。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是避免由于控制濕法蝕刻裝置的軟件設(shè)計(jì)缺陷而導(dǎo)致當(dāng)濕法蝕刻裝置的循環(huán)泵停止工作時(shí),補(bǔ)給泵仍繼續(xù)工作造成晶圓的損壞。
為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種濕法蝕刻裝置,包括用以輸送蝕刻混合液的循環(huán)泵和用以補(bǔ)充蝕刻反應(yīng)化學(xué)品的補(bǔ)給泵,還包括聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng),根據(jù)濕法蝕刻裝置系統(tǒng)的提示控制循環(huán)泵關(guān)閉時(shí),關(guān)閉補(bǔ)給泵。
所述聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)包括,補(bǔ)給泵控制裝置,根據(jù)機(jī)臺(tái)控制模塊的控制信號(hào)開啟或關(guān)閉,并在開啟時(shí)接收聯(lián)動(dòng)裝置傳送的電壓信號(hào)發(fā)送給補(bǔ)給泵來(lái)啟動(dòng)補(bǔ)給泵;循環(huán)泵控制裝置,根據(jù)機(jī)臺(tái)控制模塊的控制信號(hào)開啟或關(guān)閉,并在開啟時(shí)接收恒壓源發(fā)送的電壓信號(hào)發(fā)送給循環(huán)泵來(lái)啟動(dòng)循環(huán)泵;聯(lián)動(dòng)裝置,與循環(huán)泵控制裝置并聯(lián)于機(jī)臺(tái)控制模塊,根據(jù)機(jī)臺(tái)控制模塊的控制信號(hào)開啟或關(guān)閉,并在開啟時(shí)接收恒壓源發(fā)送的電壓信號(hào)向補(bǔ)給泵控制裝置傳送;恒壓源,用于向循環(huán)泵控制裝置和聯(lián)動(dòng)裝置提供啟動(dòng)循環(huán)泵和補(bǔ)給泵的電壓信號(hào);機(jī)臺(tái)控制模塊,根據(jù)濕法蝕刻裝置系統(tǒng)的提示發(fā)送控制信號(hào)來(lái)控制補(bǔ)給泵控制裝置、循環(huán)泵控制裝置和聯(lián)動(dòng)裝置開啟或關(guān)閉。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明濕法蝕刻裝置通過(guò)聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)控制循環(huán)泵和補(bǔ)給泵,從而當(dāng)濕法蝕刻裝置的循環(huán)泵停止工作時(shí),補(bǔ)給泵也停止工作,避免造成晶圓損壞。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明實(shí)施例濕法蝕刻裝置示意圖;
圖2是本發(fā)明實(shí)施例濕法蝕刻裝置的聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)示意圖;
圖3是本發(fā)明實(shí)施例濕法蝕刻裝置的聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)的繼電器開關(guān)閉合時(shí)的示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明在于通過(guò)聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)控制循環(huán)泵和補(bǔ)給泵的工作,使得循環(huán)泵關(guān)閉時(shí),補(bǔ)給泵也關(guān)閉,從而避免造成晶圓損壞。
為了使得本發(fā)明的技術(shù)方案更加清楚,下面通過(guò)具體的實(shí)施例并結(jié)合對(duì)于晶圓進(jìn)行氮化硅濕法蝕刻的工藝來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明濕法蝕刻裝置。
如圖1所示,本實(shí)施例濕法蝕刻裝置包括,
第一補(bǔ)給單元1,用以存儲(chǔ)進(jìn)行氮化硅濕法蝕刻所用的反應(yīng)物,例如水;
第二補(bǔ)給單元2,用以存儲(chǔ)進(jìn)行氮化硅濕法蝕刻的催化劑,例如磷酸;
緩沖槽4,與第一補(bǔ)給單元1和第二補(bǔ)給單元2連通,用以混合第一補(bǔ)給單元1和第二補(bǔ)給單元2輸送的反應(yīng)物和催化劑形成蝕刻混合溶液;
循環(huán)泵6,與緩沖槽4連通,用以輸送緩沖槽4內(nèi)的蝕刻混合溶液;
加熱器7,與循環(huán)泵6連通,用以加熱循環(huán)泵6輸送的蝕刻混合溶液;
過(guò)濾器8,與加熱器7連通,用以過(guò)濾經(jīng)加熱的蝕刻混合溶液;
反應(yīng)槽5,與過(guò)濾器8連通,用以接收過(guò)濾器8輸送的加熱的蝕刻混合溶液與晶圓進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)來(lái)對(duì)晶圓進(jìn)行濕法蝕刻;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





