[發明專利]一種可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法

無效

• 申請號: 200710037150.X
• 申請日: 2007-02-06
• 公開（公告）號: CN101241852A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 賈宬;吳俊雄;范生輝
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/311;H01L21/335
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.?一種可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，該方法首先在已生成有多晶硅柵極和有源區的晶圓上制作一絕緣介質層，然后對該絕緣介質層進行干法刻蝕來形成側墻圖形，最后再對該絕緣介質層進行濕法刻蝕來形成柵極側墻，其特征在于，在對該絕緣介質層進行濕法刻蝕形成柵極側墻時，該濕法刻蝕使多晶硅柵極和有源區頂端的絕緣介質層的厚度減小到10埃以下。

2.?如權利要求1所述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，其特征在于，該絕緣介質層從下至上依次包括第一二氧化硅層、氮化硅層以及第二二氧化硅層。

3.?如權利要求2所述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，其特征在于，該第一二氧化硅層的厚度為150埃。

4.?如權利要求2所述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，其特征在于，該氮化硅層的厚度為300埃。

5.?如權利要求2所述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，其特征在于，該第二二氧化硅層的厚度范圍為600至1000埃。

6.?如權利要求1所述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，其特征在于，該濕法刻蝕通過氫氟酸溶液來實現。

7.?如權利要求6所述的可減小N型摻雜柵極電阻的柵極側墻制作方法，其特征在于，通過提高氫氟酸溶液的濃度或延長刻蝕時間來減小多晶硅柵極和有源區頂端的絕緣介質層的厚度。