[發明專利]一種半導體穩壓器件

有效

• 申請號: 200710036578.2
• 申請日: 2007-01-18
• 公開（公告）號: CN101226933A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 武鴻基
• 申請（專利權）人: 上海維恩佳得數碼科技有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L29/861
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳亮

技術領域

本發明涉及一種半導體穩壓器件，尤其涉及一種能降低低伏齊納穩壓管特征反向漏電流的半導體穩壓器件。

背景技術

電子產品中廣泛運用半導體齊納穩壓器件于低伏電壓箝位，這種低伏穩壓器件是由一個反向偏置的P+N+結形成。這種穩壓器件在低于7V范圍所依賴的是穿越勢壘的電流形成的齊納擊穿，這種低壓穩壓器件存在漏電大，即所謂的“軟擊穿”特性。同時供形成齊納擊穿所需的高摻雜也引起耗盡層的縮短，進而造成這種低壓穩壓器件的高結電容，不利于高頻領域的應用。

發明內容

本發明的目的在于提供一種低電壓半導體穩壓器件，它具有低漏電、“硬擊穿”特性，同時具有低的結電容。

本發明的技術方案為：一種半導體穩壓器件，所述穩壓器件包括：

一由第一導電性半導體構成的襯底基片；

一設置于所述襯底基片上的具有第一導電性的外延半導體層；

一建構于所述外延半導體層表面的具有第二導電性的第一半導體區；

一建構于所述第一半導體區表面的具有第一導電性的第二半導體區；

一隱埋于所述第二半導體區之下的具有第二導電性的重摻雜半導體區；

一建構于所述具有第一導電性的第二半導體區表面的金屬接觸層作為第一接出端；以及

一建構于所述襯底基片背面的金屬接觸層作為第二接出端；

其中，所述具有第一導電性的第二半導體區與具有第二導電性的重摻雜半導體區形成的第一PN結上形成反向偏置，同時在第一導電性半導體構成的襯底基片和具有第二導電性的第一半導體區形成的第二PN結上形成正向偏置，以產生所述穩壓器件的穩壓特性。

上述的半導體穩壓器件，其中，所述穩壓器件還包括：

一建構于所述外延半導體層表面的具有第二導電性的第三半導體區；

一建構于所述第三半導體區的具有第一導電性的第四半導體區；以及

一建構于所述第三半導體區表面的金屬層連接外延半導體層；

其中在所述具有第二導電性的第三半導體區與具有第一導電性的第四半導體區形成的第三PN結上正向偏置以形成所述穩壓器件的正向導通特性。

上述的半導體穩壓器件，其中，所述具有第一導電性的第二半導體區是重摻雜的。

上述的半導體穩壓器件，其中，所述具有第一導電性的第四半導體區是重摻雜的。

上述的半導體穩壓器件，其中，所述襯底基片由低阻值的半導體構成，其電阻率低于0.1歐姆·厘米。

上述的半導體穩壓器件，其中，所述外延半導體層的阻值是所述襯底基片阻值的10倍以上。

上述的半導體穩壓器件，其中，所述重摻雜隱埋區被所述具有第一導電性的第二半導體區完全覆蓋。

上述的半導體穩壓器件，其中，所述第三PN結中所述具有第二導電性的第三半導體區與所述外延半導體層表面通過表面金屬相連。

上述的半導體穩壓器件，其中，所述第一導電性是P型，所述第二導電性是N型。

上述的半導體穩壓器件，其中，所述第一導電性是N型，所述第二導電性是P型。

本發明對比現有技術有如下的有益效果：本發明的穩壓器件由兩部分組成：一個雙結型的二極管作為穩壓器件的主體，一個附加的PN結作為正向導通之用。雙結型的二極管內具有兩個背對背的PN結，外端電容由于這兩個PN結的串聯而減小。另一方面當外加的電壓使一個PN結反向偏置時，另一個PN結的正向勢壘隔阻了反向偏置結的早期齊納漏電，從而改善了“軟擊穿”的特性。

附圖說明

圖1是本發明的半導體穩壓器件的一個較佳實施例的截面圖。

圖2是本發明的半導體穩壓器件的正、反向電流-電壓特性的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本發明作進一步的描述。

圖1示出了本發明的半導體穩壓管的一個較佳實施例的截面，本實施例以N-P-N三層結構來說明本發明的技術方案。