[發明專利]一種半導體穩壓器件

有效

• 申請號: 200710036578.2
• 申請日: 2007-01-18
• 公開（公告）號: CN101226933A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 武鴻基
• 申請（專利權）人: 上海維恩佳得數碼科技有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L29/861
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳亮

1.一種半導體穩壓器件，所述穩壓器件包括：

一由第一導電性半導體構成的襯底基片；

一設置于所述襯底基片上的具有第一導電性的外延半導體層；

一建構于所述外延半導體層表面的具有第二導電性的第一半導體區；

一建構于所述第一半導體區表面的具有第一導電性的第二半導體區；

一隱埋于所述第二半導體區之下的具有第二導電性的重摻雜半導體區；

一建構于所述具有第一導電性的第二半導體區表面的金屬接觸層作為第一接出端；以及

一建構于所述襯底基片背面的金屬接觸層作為第二接出端；

其中，所述具有第一導電性的第二半導體區與具有第二導電性的重摻雜半導體區形成的第一PN結上形成反向偏置，同時在第一導電性半導體構成的襯底基片和具有第二導電性的第一半導體區形成的第二PN結上形成正向偏置，以產生所述穩壓器件的穩壓特性。

2.根據權利要求1所述的半導體穩壓器件，其特征在于，所述穩壓器件還包括：

一建構于所述外延半導體層表面的具有第二導電性的第三半導體區；

一建構于所述第三半導體區的具有第一導電性的第四半導體區；以及

一建構于所述第三半導體區表面的金屬層連接外延半導體層；

其中在所述具有第二導電性的第三半導體區與具有第一導電性的第四半導體區形成的第三PN結上正向偏置以形成所述穩壓器件的正向導通特性。

3.根據權利要求1所述的半導體穩壓器件，其特征在于，所述具有第一導電性的第二半導體區是重摻雜的。

4.根據權利要求2所述的半導體穩壓器件，其特征在于，所述具有第一導電性的第四半導體區是重摻雜的。

5.根據權利要求1所述的半導體穩壓器件，其特征在于，所述襯底基片由低阻值的半導體構成，其電阻率低于0.1歐姆·厘米。

6.根據權利要求1所述的半導體穩壓器件，其特征在于，所述外延半導體層的阻值是所述襯底基片阻值的10倍以上。

7.根據權利要求1所述的半導體穩壓器件，其特征在于，所述重摻雜隱埋區被所述具有第一導電性的第二半導體區完全覆蓋。

8.根據權利要求2所述的半導體穩壓器件，其特征在于，所述第三PN結中所述具有第二導電性的第三半導體區與所述外延半導體層表面通過表面金屬相連。

9.根據權利要求1所述的半導體穩壓器件，其特征在于，所述第一導電性是P型，所述第二導電性是N型。

10.根據權利要求1所述的半導體穩壓器件，其特征在于，所述第一導電性是N型，所述第二導電性是P型。