[發(fā)明專利]可進(jìn)行信號(hào)擺率修正的LVDS驅(qū)動(dòng)電路無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710035328.7 | 申請(qǐng)日： | 2007-07-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101087139A | 公開(kāi)（公告）日： | 2007-12-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊學(xué)軍;王建軍;李少青;張民選;陳吉華;趙振宇;陳怒興;馬劍武;鄒金安;何小威;歐陽(yáng)干;王洪海;劉征;唐世民;王東林 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)人民解放軍國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H03K19/0185 | 分類號(hào)： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 湖南兆弘專利事務(wù)所 | 代理人： | 趙洪 |
| 地址： | 410073湖南省長(zhǎng)沙市硯瓦池正街47號(hào)*** | 國(guó)省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 進(jìn)行 信號(hào) 修正 lvds 驅(qū)動(dòng) 電路 | ||
1、一種可進(jìn)行信號(hào)擺率修正的低電壓差分信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于：它包括由第五晶體管(M7)和第六晶體管(M8)組成的鏡像電流源、由第一CMOS晶體管(M1)和第二CMOS晶體管(M2)組成的控制單元以及互補(bǔ)電流開(kāi)關(guān)單元，控制單元用來(lái)接收由共模反饋電路反饋回來(lái)的信號(hào)控制鏡像電流源和互補(bǔ)電流開(kāi)關(guān)單元的工作以及控制輸出情況，所述互補(bǔ)電流開(kāi)關(guān)單元包括第一晶體管(M3)、第二晶體管(M4)、第三晶體管(M5)、第四晶體管(M6)以及第一PMOS晶體管(M9)、第二PMOS晶體管(M10)、第三PMOS晶體管(M11)和第四PMOS晶體管(M12)，第一晶體管(M3)、第四晶體管(M6)的柵極相連并與正的輸入端VinP相連，第二晶體管(M4)和第三晶體管(M5)相連并與負(fù)的輸入端VinN相連，第一PMOS晶體管(M9)和第四PMOS晶體管(M12)的柵極相連并與VinN相連，第二PMOS晶體管(M10)和第三PMOS晶體管(M11)的柵極相連并與VinP相連；所述第一晶體管(M3)、第二晶體管(M4)、第三晶體管(M5)、第四晶體管(M6)為NMOS管或者PMOS管。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)人民解放軍國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)，未經(jīng)中國(guó)人民解放軍國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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