[發明專利]一種硅酸鹽瓷質磚的制備方法

無效

• 申請號: 200710032650.4
• 申請日: 2007-12-18
• 公開（公告）號: CN101186509A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 孔正山;雷鐵平;宋平
• 申請（專利權）人: 孔正山
• 主分類號: C04B35/622
• 分類號: C04B35/622;C04B35/553;C04B35/14
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技術領域

本發明涉及一種建筑裝飾用陶瓷磚的制備方法，更具體的說是涉及一種仿天然洞石石材的硅酸鹽瓷質磚的制備方法。

技術背景

隨著陶瓷行業工藝，配方，材料和裝備的不斷進步，陶瓷制品特別是硅酸鹽瓷質拋光磚產品越來越接近天然石材的效果，包括顏色，質感，紋理及表面效果。近年來，表面帶有管洞或凹坑的天然洞石石材尤其受到設計師和消費者的喜愛，被大量地使用在墻面和地面的裝飾上。但這類石材價格昂貴，強度低，耐磨性差，易變色，且石材礦物儲量有限，石材荒料完全依靠進口。而人造仿洞石瓷磚具有價格低，強度高，經久耐用，不變色，防污性能好的優點，是天然洞石石材的最佳替代品。目前市場上的仿洞石陶瓷磚一般是由凹凸模具壓制形成，因此表面死板固定不能象天然石材那樣變化自然，近年來也有些廠家采用發泡劑發泡成孔的方法模仿洞石，但由于發泡產生的孔洞較小，較淺，且發泡孔洞因氣泡形狀為球形而導致孔口為圓形，難以表現天然洞石石材那深管狀的孔洞和變化萬千的不規則洞口形狀。

因此，需要設計一種新的仿真天然洞石石材的陶瓷磚制備方法以解決上述問題。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術存在的缺陷，提供一種新的仿真天然洞石石材的硅酸鹽瓷質磚的制備方法。

本發明是通過如下技術方案實現上述目的的：

一種硅酸鹽瓷質磚的制備方法，包括以下步驟：

(1)高溫蝕硅料的制備；

(2)現有硅酸鹽瓷質磚所包含的面料和底料粉料的制備；

(3)將各種花紋面料與高溫蝕硅料并同底料一起壓制成型；

(4)成型后的坯體經過干燥，燒成，拋光磨邊制成成品。

上述技術方案中，(1)步驟中，所述高溫蝕硅料為含氟類陶瓷原料與鉀，鈉，鈣，鎂，硅，鋁，硼，鋅，鉛所組成的天然陶瓷原料或玻璃熔塊或化工生料原料中的一種或多種組合。

所述含氟類陶瓷原料為氟化鈣，氟硅酸鈉，氟硅酸鉀，氟鋯酸銨及其他不溶或微溶于水的含氟化合物的一種或多種組合。

所述高溫蝕硅料的始熔點為700～950℃，熔融溫度為1050～1280℃，在熔融條件下能電離出F^-離子，且氟元素所占重量百分比為2％～32％。

所述構成花紋面料和底料的普通硅酸鹽瓷質磚材料及其化學重量組成范圍為：

SiO₂：50％～80％，Al₂O₃：12％～25％，K₂O：0.1％～5％，

Na₂O：0.1％～6％，MgO：0.01％～15％，CaO：0.1％～10％，

Fe₂O₃：0％～0.6％，TiO：0％～0.6％，Li₂O：0％～0.5％。

將所述高溫蝕硅料與花紋面料進行隨機或定位混合布料同底料一起干壓成型，制成坯體，在1100～1280℃的高溫燒成下花紋面料被分散于其中的高溫蝕硅料侵蝕產生管狀或不規則的空間，將冷卻后的磚坯表面磨削拋光掉0.3～1.2毫米，使管狀或不規則的空間裸露在磚表面形成管洞或凹坑的裝飾效果。

所述管狀或不規則狀的空間在花紋面料中的分布由所述高溫蝕硅料通過所述隨機或定位混合布料的方式決定，其中高溫蝕硅料的重量為花紋面料的重量的2％～33％。

所述管狀或不規則狀的空間的大小和形狀為所述高溫蝕硅料在面料中存在的體積和形狀向周圍擴展0.01～1毫米，拋光后裸露的所述管洞或凹坑深度為0.1～5毫米。

所述高溫蝕硅料在1050～1280℃的高溫下，完全熔融成液態流體，并且可以電離出F^-離子，而F^-離子對SiO₂有侵蝕作用，因為F^-離子具有強烈的獲得8電子達到平衡的能力，所以在與SiO₂接觸后就會破壞Si-O鍵的結構從而達到侵蝕含有大量SiO₂成分的硅酸鹽材料的特性。

電離方程式為：SiO₂+4F^-→SiF₄+2O^2-

高溫蝕硅料本身的配方中也含有一定量的硅，并在熔融過程中首先被F^-離子侵蝕掉，而富余的F^-離子則去侵蝕與其接觸的花紋面料中的硅，因此在腐蝕作用下留下了管狀或不規則狀的空間，而這些空間就是高溫蝕硅料在面料中存在的體積和形狀向周圍擴展0.01～1毫米。

與現有技術相比，本發明具有如下有益效果：