[發明專利]一種硅酸鹽瓷質磚的制備方法

無效

• 申請號: 200710032650.4
• 申請日: 2007-12-18
• 公開（公告）號: CN101186509A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 孔正山;雷鐵平;宋平
• 申請（專利權）人: 孔正山
• 主分類號: C04B35/622
• 分類號: C04B35/622;C04B35/553;C04B35/14
• 代理公司: 暫無信息
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1.一種硅酸鹽瓷質磚的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)高溫蝕硅料的制備；

(2)現有硅酸鹽瓷質磚所包含的面料和底料粉料的制備；

(3)將各種花紋面料與高溫蝕硅料并同底料一起壓制成型；

(4)成型后的坯體經過干燥，燒成，拋光磨邊制成成品。

2.根據權利要求1所述的一種硅酸鹽瓷質磚的制備方法，其特征在于：(1)步驟中，所述高溫蝕硅料為含氟類陶瓷原料與鉀，鈉，鈣，鎂，硅，鋁，硼，鋅，鉛所組成的天然陶瓷原料或玻璃熔塊或化工生料原料中的一種或多種組合。

3.根據權利要求2所述的一種硅酸鹽瓷質磚的制備方法，其特征在于：所述含氟類陶瓷原料為氟化鈣，氟硅酸鈉，氟硅酸鉀，氟鋯酸銨及其他不溶或微溶于水的含氟化合物的一種或多種組合。

4.根據權利要求2所述的一種硅酸鹽瓷質磚的制備方法，其特征在于：所述高溫蝕硅料的始熔點為700～950℃，熔融溫度為1050～1280℃，在熔融條件下能電離出F^-離子，且氟元素所占重量百分比為2％～32％。

5.根據權利要求1所述的一種硅酸鹽瓷質磚的制備方法，其特征在于：所述構成花紋面料和底料的普通硅酸鹽瓷質磚材料及其化學重量組成范圍為：

SiO₂：50％～80％，Al₂O₃：12％～25％，K₂O：0.1％～5％，

Na₂O：0.1％～6％，MgO：0.01％～15％，CaO：0.1％～10％，

Fe₂O₃：0％～0.6％，TiO：0％～0.6％，Li₂O：0％～0.5％。

6.根據權利要求1所述的一種硅酸鹽瓷質磚的制備方法，其特征在于：將所述高溫蝕硅料與花紋面料進行隨機或定位混合布料同底料一起干壓成型，制成坯體；在1100～1280℃的高溫燒成下花紋面料被分散于其中的高溫蝕硅料侵蝕產生管狀或不規則的空間，將冷卻后的磚坯表面磨削拋光掉0.3～1.2毫米，使管狀或不規則的空間裸露在磚表面形成管洞或凹坑的裝飾效果。

7.根據權利要求6所述的一種硅酸鹽瓷質磚的制備方法，其特征在于：高溫蝕硅料的重量為花紋面料的重量的2％～33％。

8.根據權利要求7所述的一種硅酸鹽瓷質磚的制備方法，其特征在于：所述管狀或不規則狀的空間的大小和形狀為所述高溫蝕硅料在面料中存在的體積和形狀向周圍擴展0.01～1毫米，拋光后裸露的所述管洞或凹坑深度為0.1～5毫米。