[發明專利]一種三重態激子擴散長度和能量轉移長度的測量方法無效
| 申請號: | 200710032263.0 | 申請日: | 2007-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN101183654A | 公開(公告)日: | 2008-05-21 |
| 發明(設計)人: | 劉彭義;武春紅;吳敬;張靖磊 | 申請(專利權)人: | 暨南大學 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L51/56;G01R31/00 |
| 代理公司: | 廣州市華學知識產權代理有限公司 | 代理人: | 陳燕嫻 |
| 地址: | 510632廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 三重態 激子 擴散 長度 能量 轉移 測量方法 | ||
1.一種三重態激子擴散長度和能量轉移長度的測量方法,其特征在于,包括以下步驟:
a、按照陽極、空穴傳輸層、主體材料及熒光染料層、主體材料層、主體材料及磷光染料層、電子傳輸層、陰極的順序,制作不同厚度的主體材料層的磷光有機發光二極管,其中,所述的主體材料及熒光染料層為復合區,所述的主體材料層為空間隔離層,所述的主體材料及磷光染料層為發光層;
b、按照陽極、空穴傳輸層、主體材料及熒光染料層、主體材料及磷光染料層、電子傳輸層、陰極的順序,制作不同厚度的主體材料及磷光染料層的磷光有機發光二極管,其中,所述的主體材料及熒光染料層為復合區,所述的主體材料及磷光染料層為發光層;
c、使用步驟a所制作的不同厚度的主體材料層的磷光有機發光二極管,在相同電流密度的驅動下,分別檢測每個磷光有機發光二極管的磷光染料分子的發射強度,記錄發射強度及復合區厚度的數值,得出兩者近似為線性減小的關系,并延長實驗曲線,當磷光染料分子的發射強度降為零時,這時空間隔離層的厚度就是三重態激子的擴散長度;
d、使用步驟b所制作的不同厚度的主體材料及磷光染料層的磷光有機發光二極管,在相同電流密度的驅動下,分別檢測每個磷光有機發光二極管的磷光染料分子的發射強度,記錄發射強度及發光層厚度的數值,得出兩者為指數上升的關系,當磷光染料分子的發射強度不再隨著發光層厚度的增加而增加時,這時的發光層的厚度近似的為三重態激子的能量轉移長度。
2.根據權利要求1所述的一種三重態激子擴散長度和能量轉移長度的測量方法,其特征在于,所述步驟a中的主體材料層厚度為Xnm,所述電子傳輸層的厚度為40-Xnm,所述X的取值范圍是:0≤X≤40。
3.根據權利要求1所述的一種三重態激子擴散長度和能量轉移長度的測量方法,其特征在于,所述步驟b中的復合區的厚度為Ynm,所述發光層的厚度為50-Ynm,所述Y的取值范圍是:0≤Y≤50。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





