[發(fā)明專利]一種三重態(tài)激子擴散長度和能量轉(zhuǎn)移長度的測量方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710032263.0 | 申請日: | 2007-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN101183654A | 公開(公告)日: | 2008-05-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉彭義;武春紅;吳敬;張靖磊 | 申請(專利權(quán))人: | 暨南大學(xué) |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L51/56;G01R31/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 三重態(tài) 激子 擴散 長度 能量 轉(zhuǎn)移 測量方法 | ||
????????????????????????技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及發(fā)光顯示材料與元器件領(lǐng)域,具體是指一種三重態(tài)激子擴散長度和能量轉(zhuǎn)移長度的測量方法。
????????????????????????背景技術(shù)
有機發(fā)光器件或稱有機發(fā)光二極管(OLED)是一種高亮度、寬視覺、全固化的電極發(fā)光二極管,它與液晶顯示器(LCD)相比具有如下優(yōu)點:(1)OLED的發(fā)光效率高、亮度大;(2)有機發(fā)光材料眾多、價廉,且易大規(guī)模、大面積生產(chǎn),實現(xiàn)超薄、大面積平板顯示;(3)發(fā)光顏色從紅外到紫外,覆蓋整個可見光,方便實現(xiàn)全彩色顯示;(4)有機材料的機械性能良好,易于加工成形;(5)驅(qū)動電壓低,與半導(dǎo)體集成電路的電壓相匹配,使大屏幕平板顯示的驅(qū)動電路容易實現(xiàn)。
為了進一步提高OLED的發(fā)光效率,就必須先提高OLED的內(nèi)量子效率。傳統(tǒng)的采用熒光染料摻雜制備的OLED,雖然可以提高OLED的發(fā)光效率,但由于受自旋守恒的量子力學(xué)躍遷規(guī)律的約束,其最大極限發(fā)光的內(nèi)量子效率為25%。因為1對注入電子、空穴相互束縛,形成總自旋為零的單重態(tài)激子的幾率為1/4,而形成總自旋為1的三重態(tài)激子的幾率為3/4,有機半導(dǎo)體的基態(tài)自旋為零。按照量子力學(xué)躍遷規(guī)律,只有單重態(tài)激子能向基態(tài)躍遷發(fā)射光子,三重態(tài)激子向基態(tài)躍遷被禁止,三重態(tài)的激子只能被熱耗損掉,不能發(fā)射光子,對發(fā)光沒有貢獻。在OLED的發(fā)光層中摻雜磷光染料后,由于旋軌作用增強,克服了三重態(tài)的激子向單重態(tài)的基態(tài)躍遷被禁止的限制,能大幅度提高OLED的發(fā)光效率。
當(dāng)在OLED的發(fā)光層中摻雜磷光染料以后,被電激發(fā)是主體材料小分子或聚合物,而最終發(fā)光主要是或完全是摻雜的客體磷光染料分子,這中間必然存在從主體到客體的三重態(tài)激子的擴散和能量轉(zhuǎn)移。因此,深入研究OLED中摻雜磷光染料以后的主、客體系統(tǒng)的激子擴散長度和能量轉(zhuǎn)移長度對磷光OLED的設(shè)計、材料的選配、器件的優(yōu)化具有指導(dǎo)意義。然而,如何在摻雜磷光染料以后的OLED中獲取三重態(tài)激子擴散長度和能量轉(zhuǎn)移長度目前還沒有相關(guān)的報道。
????????????????????發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種對磷光OLED的設(shè)計、材料的選配、器件的優(yōu)化以及發(fā)光效率的提高都具有重要的指導(dǎo)意義的三重態(tài)激子擴散長度和能量轉(zhuǎn)移長度的測量方法。
本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn):一種三重態(tài)激子擴散長度和能量轉(zhuǎn)移長度的測量方法,包括以下步驟:
a、按照陽極、空穴傳輸層、主體材料及熒光染料層、主體材料層、主體材料及磷光染料層、電子傳輸層、陰極的順序,制作不同厚度的主體材料層的磷光有機發(fā)光二極管,其中,所述的主體材料及熒光染料層為復(fù)合區(qū),所述的主體材料層為空間隔離層,所述的主體材料及磷光染料層為發(fā)光層;
b、按照陽極、空穴傳輸層、主體材料及熒光染料層、主體材料及磷光染料層、電子傳輸層、陰極的順序,制作不同厚度的主體材料及磷光染料層的磷光有機發(fā)光二極管,其中,所述的主體材料及熒光染料層為復(fù)合區(qū),所述的主體材料及磷光染料層為發(fā)光層;
c、使用步驟a所制作的不同厚度的主體材料層的磷光有機發(fā)光二極管,在相同電流密度的驅(qū)動下,分別檢測每個磷光有機發(fā)光二極管的磷光染料分子的發(fā)射強度,記錄發(fā)射強度及復(fù)合區(qū)厚度的數(shù)值,得出兩者近似為線性減小的關(guān)系,并延長實驗曲線,當(dāng)磷光染料分子的發(fā)射強度降為零時,這時空間隔離層的厚度就是三重態(tài)激子的擴散長度;
d、使用步驟b所制作的不同厚度的主體材料及磷光染料層的磷光有機發(fā)光二極管,在相同電流密度的驅(qū)動下,分別檢測每個磷光有機發(fā)光二極管的磷光染料分子的發(fā)射強度,記錄發(fā)射強度及發(fā)光層厚度的數(shù)值,得出兩者為指數(shù)上升的關(guān)系,當(dāng)磷光染料分子的發(fā)射強度不再隨著發(fā)光層厚度的增加而增加時,這時的發(fā)光層的厚度近似為三重態(tài)激子的能量轉(zhuǎn)移長度。
所述步驟a中的主體材料層厚度為Xnm,所述電子傳輸層的厚度為40-Xnm,所述X的取值范圍是:0≤X≤40。
所述步驟b中的復(fù)合區(qū)的厚度為Ynm,所述發(fā)光層的厚度為50-Ynm,所述Y的取值范圍是:0≤Y≤50。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有如下優(yōu)點和有益效果:
(1)本發(fā)明對磷光有機發(fā)光二極管的設(shè)計、材料的選配、器件的優(yōu)化以及發(fā)光效率的提高都有著重要的指導(dǎo)意義;
(2)本發(fā)明有利于高效磷光有機發(fā)光二極管的模型建立;
(3)有利于推動高效有機發(fā)光二極管產(chǎn)業(yè)化進程。
?????????????????????附圖說明
圖1是本發(fā)明測量三重態(tài)激子擴散長度時的磷光有機發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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