[發(fā)明專利]一種倒裝發(fā)光二極管芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710030796.5
• 申請日: 2007-10-08
• 公開（公告）號: CN101409315A
• 公開（公告）日: 2009-04-15
• 發(fā)明（設計）人: 楊文明
• 申請（專利權）人: 楊文明
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L23/36;H01L23/488
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件，特別涉及一種倒裝發(fā)光二極管芯片。

背景技術

傳統(tǒng)倒裝發(fā)光二極管芯片的，P型半導體層，N型半導體層在暴露在同一側，能夠將陰、陽極制作于發(fā)光二極管的同一側上，這種結構的發(fā)光二極管直接設置在基板上，需要通過切割、固晶等封裝步驟與電路板連結，然而這種結構方式設置的倒裝發(fā)光二極管芯片由于電極與基板接觸面小，不能及時地將發(fā)光二極管產(chǎn)生的熱量發(fā)散出去，另一方面，因固晶等方式與基板結合處的焊塊或焊點吸收部分光線所以影響出光效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術問題是：提供散熱性能更好，出光效率高的倒裝發(fā)光二極管芯片。

本發(fā)明通過以下技術方案解決上述問題：

一種倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，包括

一發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括第一導電層、設置在第一導電層上的有源層、以及設置在有源層上的第二導電層；所述第二導電層與有源層的同一側面形成一斜坡面；

覆蓋在上述第二導電層及斜坡面上的反射層，該反射層由絕緣材料構成；

完全覆蓋在上述反射層上的第一絕緣層；

設置在第一導電層上并與第一導電層電連接、且部分覆蓋在第一絕緣層上的第一金屬層；

設置在第二導電層上并與第二導電層電連接、且部分覆蓋在第一絕緣層上的第二金屬層；

設置在第一金屬層與第二金屬層之間并使第一金屬層與第二金屬層絕緣隔離開的第二絕緣層。

所述的第一金屬層作為第一電極，第二金屬層作為第二電極；

所述第一金屬層與第二金屬層作為發(fā)光器件的散熱路徑。

本發(fā)明的有益效果是：通過第一金屬層和第二金屬層可以將發(fā)光器件中的熱量更好地散出，從而使倒裝發(fā)光二極管芯片有更好地散熱性能，另一方面，通過覆蓋在第二導電層及斜坡面上的反射層可以將發(fā)光器件中的光線反射出去，因此可以極大地提高倒裝發(fā)光二極管芯片的出光效率。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，

圖1是本發(fā)明實施例結構示意圖；

具體實施方式

參照圖1，發(fā)光二極管100，包括一發(fā)光器件111，該發(fā)光器件111包括一第一導電層2作為一包覆層、設置在第一導電層2上的有源層3作為發(fā)光層、以及設置在有源層3上的第二導電層4作為另一包覆層，其中第二導電層4與有源層3的同一側面形成一斜坡面122，這種結構可以增大發(fā)光面積，發(fā)光器件還可以包括襯底1。第一導電層2上具有暴露部分2a，在暴露部分2a上具有一接合墊9b，另在第二導電層4上具有一接合墊9a。接合墊9a與9b的材料與制作應為本技術領域技術人員所熟知，在此不在敘述。此外，在實施例中，發(fā)光器件111還包括一保護層5，以保護發(fā)光器件111；此保護層材料與制作亦為本技術領域技術人員所熟知，在此不在敘述。覆蓋在上述第二導電層4及斜坡面122上的反射層6，該反射層6由絕緣材料構成；發(fā)光二極管100包括設置在反射層6上的第一絕緣層7，第一絕緣層7材料可由二氧化硅、氮化硅、或是其組合，其制成可由MOCVD或是MBE；發(fā)光二極管100包括設置在第一絕緣層7上的第二絕緣層8，第二絕緣層8可由二氧化硅、氮化硅、聚酰亞胺其中之一組成，其制成可由一印刷技術形成；發(fā)光二極管100包括設置在發(fā)光器件111上與第一導電層2電連接并且與第一絕緣層7部分接觸的第一金屬層10a；以及設置在第一絕緣層7與第二導電層4上并且與第二導電層3電連接的第二金屬層10b。其中第一絕緣層7和第二絕緣層8隔絕第一金屬層10a和第二金屬層10b，第一金屬層10a和第二金屬層10b的材料可以選自金、鋁、銀等導電、導熱性能好的材料，第一金屬層10a和第二金屬層10b的制作可以通過印刷技術共同形成。在實施例中，發(fā)光二極管100設有反射層6，反射層6可以將發(fā)光器件111發(fā)出的光線發(fā)散出去，因而可以有效提升倒裝發(fā)光二極管芯片的出光效率。此外，第一金屬層10a和第二金屬層10b具有較大的接觸面積，有助于將發(fā)光器件111產(chǎn)生的熱量有效且快速的散發(fā)到外部。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非用以限定本發(fā)明的申請專利范圍；凡其他未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應包括在下述的權利要求內(nèi)。