[發(fā)明專利]低表面張力電路芯片清洗劑

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710026164.1
• 申請日: 2007-08-16
• 公開（公告）號: CN101368132A
• 公開（公告）日: 2009-02-18
• 發(fā)明（設計）人: 仲躋和
• 申請（專利權）人: 江蘇海迅實業(yè)集團股份有限公司
• 主分類號: C11D1/66
• 分類號: C11D1/66;C11D3/20;C11D3/04;C11D3/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及電路芯片清洗劑，尤其涉及一種低表面張力電路芯片清洗劑。

背景技術

在超大規(guī)模集成電路的制備過程中，芯片的表面狀態(tài)及潔凈度是影響晶片優(yōu)良率和器件質量與可靠性的最重要的因素之一。半導體工藝中有超過50％的產(chǎn)品損耗是由于芯片表面存在微小的污染物、顆粒或者其它缺陷。污染物對半導體器件的影響是復雜的，并且取決于污染物的本質和數(shù)量?；瘜W機械全局平面化過程是實現(xiàn)多層布線和提高集成度的唯一有效方法。由于布線后鏡片表面存在各種物質如：布線金屬Cu、阻擋層Ta、插塞W或Al等。CMP過程中這些物質被磨料研磨下來，形成污染，同時磨料本身也會帶來污染。因此CMP后晶片表面存在大量的污染物，如果不能有效去除，將嚴重影響集成電路的成品率和可靠性。為了去除芯片表面的顆粒和化學污染物，為了得到潔凈的芯片表面，人們采用了各種清洗技術，這些技術必須在清洗芯片表面張力的同時不會造成進一步的損傷，因此CMP后清洗是一個十分重要的課題。

芯片在進行加工前需要進行清洗，而且采用金屬材料加工制備的普通機械零件以及其他領域中使用的精密元器件的用量相當大，因此對這類芯片表面張力去除的工作量也相應的很大，清洗過程中需要的清洗劑的使用量肯定也是相當大的。隨著環(huán)境保護要求標準的嚴格化，對工業(yè)廢水的排放控制也越來越嚴格，因此大量的廢棄清洗劑的排放成為該行業(yè)需要研究的重要課題。

現(xiàn)有芯片清洗劑多為溶劑型或者含磷水基清洗劑等，這些清洗劑存在的缺點是，清洗效果不很理想，不能有效去除芯片表面的加工碎屑、粉塵顆粒以及張力等各種污染物，清洗后的芯片表面容易出現(xiàn)很大的張力，給后續(xù)加工帶來麻煩，特別對精密元器件的加工造成困惑；而且對設備腐蝕性較強，增加設備成本；清洗時間較長，需要10到30分鐘的清洗時間。

因此有待研制水基型的清洗劑，以有利于廢棄清洗劑的處理排放，并能有效提高清洗的效果，降低對設備的腐蝕性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有產(chǎn)品存在的上述缺點，而提供一種對芯片表面積存污染物和張力的清洗效果好，清洗后的芯片表面清潔度高，符合產(chǎn)品加工要求；其腐蝕性小，不會損壞芯片表面，不腐蝕清洗設備，而且不含有對人體有害的物質，便于廢棄清洗劑的處理排放，符合環(huán)境保護的要求；配方設計合理，制備工藝簡單，成本較低的低表面張力電路芯片清洗劑。

本發(fā)明的目的是由以下技術方案實現(xiàn)的。

本發(fā)明低表面張力電路芯片清洗劑，包括滲透劑、PH調節(jié)劑、表面活性劑、增溶劑和純水；其特征在于，其中，氧化劑的重量百分比為1％至5％，PH調節(jié)劑的重量百分比為2％至10％，表面活性劑的重量百分比為5％至10％，增溶劑的重量百分比為1％至10％，其余為純水。

前述的低表面張力電路芯片清洗劑，其特征在于，所述滲透劑是n-辛醇、二縮三乙二醇丙二醇或丙三醇。

前述的低表面張力電路芯片清洗劑，其特征在于，所述的PH調節(jié)劑是無機堿；所述的無機堿是鉀、鈉、鈣、銨、鋇的氫氧化物及碳酸鈉、氟化鈉。

前述的低表面張力電路芯片清洗劑，其特征在于，所述的表面活性劑是聚氧乙烯系非離子表面活性劑和高分子及元素有機系非離子表面活性劑中的一種或幾種組合。

前述的低表面張力電路芯片清洗劑，其特征在于，所述聚氧乙烯系非離子型表面活性劑為聚氧乙烯醚、多元醇聚氧乙烯醚羧酸酯和烷基醇酰胺中的一種或者它們的組合；所述聚氧乙烯醚是脂肪醇聚氧乙烯醚；所述的多元醇聚氧乙烯醚羧酸酯是失水山梨醇聚氧乙烯醚酯；所述的烷基醇酰胺是月桂酰單乙醇胺。

前述的低表面張力電路芯片清洗劑，其特征在于，所述脂肪醇聚氧乙烯醚是聚合度為15的脂肪醇聚氧乙烯醚(O-15)、聚合度為20的脂肪醇聚氧乙烯醚(O-20)或聚合度為25的脂肪醇聚氧乙烯醚(O-25)；所述多元醇聚氧乙烯醚羧酸酯是聚合度為7的失水山梨醇聚氧乙烯醚酯(T-7，TWEEN-7)、聚合度為9的失水山梨醇聚氧乙烯醚酯(T-9，TWEEN-9)、聚合度為80的失水山梨醇聚氧乙烯醚酯(T-80，TWEEN-80)或聚合度為81的失水山梨醇聚氧乙烯醚酯(T-81，TWEEN-81)。

前述的低表面張力電路芯片清洗劑，其特征在于，所述的高分子及元素有機系非離子表面活性劑是三氟甲基環(huán)氧乙烷、甲基環(huán)氧氯丙烷、膽固醇、多元醇太古油或者十六烷基磷酸。

前述的低表面張力電路芯片清洗劑，其特征在于，所述增溶劑是癸烷、己烷、丁烷、硅烷或者庚烷。