[發(fā)明專利]一種改進的柵源跟隨采樣開關設計方法及其開關電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710025686.X
• 申請日: 2007-08-14
• 公開（公告）號: CN101110585A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發(fā)明（設計）人: 吳建輝;潘開陽;王沛;龍善麗;杜振場;李紅;張萌;茆邦琴
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 奚幼堅

1.一種改進的柵源跟隨采樣開關設計方法，其特征在于，通過減少常規(guī)柵源跟隨開關中柵壓導通開關在采樣相時充電環(huán)路上的MOS管，降低了環(huán)路上的寄生電容，從而減少了分配到寄生電容上的電荷，提高了采樣開關管的柵源提升電壓，減小MOS開關的導通電阻。

2.根據(jù)權利要求1所述方法設計的開關電路，設有

(1)含兩個NMOS管和兩個電容構(gòu)成的時鐘倍乘電路：兩個相同的NMOS管組成的交叉耦合對管的漏極接電源電壓，源極分別接一個電容的上極板，兩個電容的下極板分別接兩相非交疊時鐘，該兩相非交疊時鐘由時鐘信號及其經(jīng)導相器輸出的信號構(gòu)成，上述兩個電容之一的下極板接時鐘信號，此電容的上極板為時鐘倍乘電路的輸出端；另一個電容的下極板接導相器輸出端；

(2)含七個NMOS管、兩個PMOS管和一個電容構(gòu)成的柵壓導通開關：七個NMOS管、兩個PMOS管分別按逆時針方向排序，第一個NMOS管的柵極接時鐘倍乘電路的輸出信號，第一個NMOS管漏極接電源電壓，源極接電容的上極板，電容的下極板接第二個NMOS管的漏極，其柵極接時鐘信號，源極接地；電容的上極板還接第一個PMOS管的源極，其柵極同時接第二個PMOS管、第三個NMOS管及第四個NMOS管漏極，第一個PMOS管的襯底與源極相連，第二個PMOS管和第三個NMOS管柵極接導相器的輸出端，第二個PMOS管源極接電源電壓，電容的下極板同時接第三個NMOS管、第四個NMOS管的源極以及第五個NMOS管的漏極，第一個PMOS管的漏極與第四個NMOS管、第五個NMOS管的柵極相連，第五個NMOS管的源極接采樣輸入信號，第一個PMOS管的漏極與第七個NMOS管的漏極相連，第七個NMOS管的柵極接電源電壓，源極接第六個NMOS管的漏極，第六個NMOS管的柵極接時鐘信號，源極接地；

(3)由一個NMOS管構(gòu)成的柵源跟隨采樣開關，其柵極接柵壓導通開關中第五個NMOS管的柵極，源極與柵壓導通開關中第五個NMOS管的源極連接，為柵源跟隨采樣開關的輸入，漏極為柵源跟隨采樣開關的輸出；

其特征在于，用一個電容替代柵壓導通開關電路中的第三個NMOS管，該電容上極板接第二個PMOS管漏極，下極板接時鐘信號；在柵壓導通開關電路中增加一個PMOS管，其柵極接時鐘信號，源極接電源電壓，漏極接第七個NMOS管的源極。

3.根據(jù)權利要求2所述的開關電路，其特征在于替代電容取值不大于1pF。