[發(fā)明專利]一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710023967.1
• 申請日: 2007-06-30
• 公開（公告）號: CN101097971A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 荀建華;劉志剛
• 申請（專利權(quán)）人: 荀建華;劉志剛
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/306;C23F1/00
• 代理公司: 常州市維益專利事務所
• 代理人: 周祥生

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池，尤其涉及單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽。

背景技術(shù)：

單晶硅太陽能電池表面陷光效果與太陽能電池的“金字塔”絨面均勻性有直接關(guān)系。目前，單晶硅太陽能電池絨面都是通過腐蝕法來獲得“金字塔”絨面的，現(xiàn)在常用的方法是將硅片豎直地放置在硅片承載器中，然后將硅片承載器放置在裝有腐蝕液的腐蝕槽中，腐蝕液由氫氧化鈉或氫氧化鉀、水、消泡劑混合而成。目前，單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽由槽體、加熱管、支撐平板、硅片承載器組成，加熱管設(shè)置在槽體的底部，支撐平板架設(shè)在加熱管的上面，在支撐平板上均勻地設(shè)有若干滲液孔，硅片承載器放置在支撐平板上，加熱后的腐蝕液從支撐平板上的滲液孔中冒出，流動的腐蝕液與硅片接觸，使單晶硅太陽能電池形成絨面。這種結(jié)構(gòu)的腐蝕槽，腐蝕液的流向是從硅片底部流到硅片的上部，再沿槽壁流下，不斷循環(huán)。由于在支撐平板上有若干個均勻分布的滲液孔，在設(shè)有滲液孔的位置腐蝕液流動快，沒有滲液孔的位置腐蝕液流動慢，這樣硅片底部腐蝕液的流動不均勻，造成了硅片表面腐蝕不均，所獲得的絨面表面不均勻，難以達到人們的預期要求。

發(fā)明內(nèi)容：

為了克服上述缺陷，提高單晶硅太陽能電池絨面均勻性，本發(fā)明提供了一種新型單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽。

本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：

所述單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽，包括槽體、加熱管、支撐平板、硅片承載器，支撐平板架設(shè)在槽體內(nèi)，并與槽體底面形成一個空腔，硅片承載器放置在支撐平板上，硅片插裝在硅片承載器上，其特征是：在支撐平板的左右兩端分別開有左缺口和右缺口，所述加熱管安裝在槽體內(nèi)壁上，且位于左缺口或右缺口的上方。

所述左缺口和右缺口的形狀為“D”字形，整個支撐平板的形狀為“工”字形。

當腐蝕槽加熱時，腐蝕液從設(shè)有加熱管的一端缺口流出，沿垂直于承載器的方向流向另一端的缺口，流進支撐平板下面的空腔中，再沿著靠近加熱管的缺口上升繼續(xù)加熱，如此不斷循環(huán)。這樣，不僅整個硅片表面的受熱均勻，而且腐蝕液流動速度均勻，腐蝕液與硅片的接觸機率更均勻，從而使得腐蝕速度均勻，所形成的絨面結(jié)構(gòu)均勻一致。

附圖說明：

圖1～2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，圖2為圖1的俯視圖；

圖中，1-槽體；2-加熱管；3-支撐平板；4-硅片承載器；5-左缺口；6-右缺口；7-槽體底面；8-槽體內(nèi)壁；9-空腔；10-硅片。

具體實施方式：

下面結(jié)合附圖1、圖2詳細說明本發(fā)明的具體實施方式，所述單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽，由槽體1、加熱管2、支撐平板3、硅片承載器4組成，在支撐平板3的左右兩端開有“D”字形的左缺口5和右缺口6，整個支撐平板3的形狀為“工”字形，支撐平板3架設(shè)在槽體1內(nèi)，并與槽體底面7形成一個空腔9，所述加熱管2安裝在槽體內(nèi)壁8上，且位于支撐平板3的右缺口6的上方，硅片承載器4放置支撐平板3上，硅片10插裝在硅片承載器4上。