[發(fā)明專利]一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710023967.1 | 申請日： | 2007-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN101097971A | 公開（公告）日： | 2008-01-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 荀建華;劉志剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 荀建華;劉志剛 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/306;C23F1/00 |
| 代理公司： | 常州市維益專利事務(wù)所 | 代理人： | 周祥生 |
| 地址： | 213213江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單晶硅 太陽能電池 腐蝕 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽，包括槽體(1)、加熱管(2)、支撐平板(3)、硅片承載器(4)，支撐平板(3)架設(shè)在槽體(1)內(nèi)，并與槽體底面(7)形成一個空腔(9)，硅片承載器(4)放置在支撐平板(3)上，硅片(10)插裝在硅片承載器(4)上，其特征是：在支撐平板(3)的兩端開有左缺口(5)和右缺口(6)，所述加熱管(2)安裝在槽體內(nèi)壁(8)上，且位于左缺口(5)或右缺口(6)的上方，腐蝕槽中所用的腐蝕液由氫氧化鈉或氫氧化鉀、水、消泡劑混合而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽，其特征是：所述左缺口(5)和右缺口(6)的形狀為“D”字形，支撐平板(3)的形狀為“工”字形。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
