[發明專利]一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產方法

無效

• 申請號: 200710022677.5
• 申請日: 2007-05-25
• 公開（公告）號: CN101093743A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 甘躍
• 申請（專利權）人: 甘躍
• 主分類號: H01C17/00
• 分類號: H01C17/00;H01C7/02
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐暉

1、一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產方法，包括：酸洗工序、單面粗化固化工序、單面固化工序、雙面粗化工序、雙面粗化層再固化工序、雙面固化層鍍鎳工序、雙面鍍鎳層偶聯工序，其特征在于：

所述的單面固化工序的工作條件為：

電流密度：20～40A/dm²；

溫度：30～60℃；

Cu²⁺：50～90g/L；

H₂SO₄：70～110g/L；

所述的雙面粗化工序的工作條件為：

電流密度：12～30A/dm²；

溫度：21～35℃；

Cu²⁺：10～22g/L；

H₂SO₄：50～90g/L；

十二烷基硫酸鈉：0.5～15mg/L；

所述的雙面粗化層再固化工序的工作條件為：

電流密度：20～40A/dm²；

溫度：30～60℃；

Cu²⁺：50～90g/L；

H₂SO₄：70～110g/L；

所述的雙面固化層鍍鎳工序的工作條件為：

電流密度：10～30A/dm²；

溫度：30～60℃；

Ni²⁺：20～90g/L；

所述的雙面鍍鎳層偶聯工序的工作條件為：

A-187：0.1～1.0％；

溫度：15～50℃。

2、根據權利要求1所述的一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產方法，其特征在于：

所述的單面固化工序的工作條件為：

電流密度：25～30A/dm²；

溫度：40～50℃；

Cu²⁺：60～70g/L；

H₂SO₄：80～90g/L；

所述的雙面粗化工序的工作條件為：

電流密度：18～24A/dm²；

電解液溫度：24～28℃；

Cu²⁺：12～16g/L；

H₂SO₄：60～70g/L；

十二烷基硫酸鈉：2～5mg/L；

所述的雙面粗化層再固化工序的工作條件為：

電流密度：??25～30A/dm²；

溫度：40～50℃；

Cu²⁺：60～70g/L；

H₂SO₄：80～90g/L；

所述的雙面固化層鍍鎳工序的工作條件為：

電流密度：15～20A/dm²；

溫度：40～50℃；

Ni²⁺：40～60g/L；

所述的雙面鍍鎳層偶聯工序的工作條件為：

A-187：0.3～0.5％；

溫度：20～35℃。

3、根據權利要求1或2所述的一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產方法，其特征在于：光面實施2～3次的固化工序。

4、根據權利要求1或2所述的一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產方法，其特征在于：雙面粗化鍍鎳銅箔的光面固化層厚度范圍為1～5μm。

5、根據權利要求4所述的一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產方法，其特征在于：雙面粗化鍍鎳銅箔的光面固化層厚度范圍為2～4μm。

6、根據權利要求1或2所述的一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產方法，其特征在于：雙面粗化鍍鎳銅箔的光面粗化層厚度范圍為2～6μm。

7、根據權利要求6所述的一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產方法，其特征在于：雙面粗化鍍鎳銅箔的光面粗化層厚度范圍為3～4μm。