[發(fā)明專利]一種掩膜板無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710022107.6 | 申請(qǐng)日: | 2007-04-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101295128A | 公開(公告)日: | 2008-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邱勇;張祝新;徐粵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司;清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/00 | 分類號(hào): | G03F1/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 215300江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 掩膜板 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種掩膜板,尤其涉及一種蒸鍍工藝使用的掩膜板。
背景技術(shù)
目前,蒸鍍工藝中使用的掩膜板(mask)由掩膜本體和邊框(frame)兩部分組成,這兩部分一般使用不同的材料分別制備后再組裝在一起,一般邊框較厚,為2mm~15mm左右,多數(shù)采用不銹鋼,掩膜本體很薄,為20μm~0.2mm左右,大多采用銦鋼制成,制備這種結(jié)構(gòu)的掩膜板的目的在于,針對(duì)所要蒸鍍形成的圖形寬度為微米級(jí),精度要求高,而目前大都采用點(diǎn)蒸鍍?cè)吹恼翦冄b置,被蒸鍍的材料的蒸發(fā)路徑與蒸鍍基板、掩膜本體之間呈角度狀態(tài),如圖1所示,如此蒸鍍到基板上形成的圖形呈梯形狀,有效面積小于實(shí)際需要面積,影響下一步形成的產(chǎn)品的質(zhì)量,并且,掩膜板越厚形成圖形的有效面積越小。因此,需要減小掩膜本體的厚度,使其盡可能得薄,兩者組合的方式目前大多采用螺絲緊固、粘膠粘接或激光焊接,但采用這幾種方法具有如下缺點(diǎn):
1、掩膜本體和邊框組裝時(shí)相對(duì)位置精度控制困難;
2、組裝時(shí)需要一定的張力,將掩膜本體拉伸固定于邊框上,而掩膜十分地薄,為20μm~0.2mm,如此施加外力,容易造成mask孔變形;
3、由于兩部分的材質(zhì)不同,在使用過程中的熱變形系數(shù)不同,容易導(dǎo)致mask孔變形;
4、采用粘膠粘接的方法時(shí),在清洗過程中兩部分容易脫開;
5、采用激光焊接的方法時(shí),焊接部位受熱量大,容易導(dǎo)致掩膜板變形。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種掩膜本體無(wú)需超薄卻可實(shí)現(xiàn)蒸鍍圖形有效面積與設(shè)計(jì)面積差別微小的掩膜板。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的:本發(fā)明之掩膜板僅包括掩膜本體,其特征在于,所述掩膜本體孔洞邊緣設(shè)有倒角。
所述掩膜本體厚度為1mm-15mm,優(yōu)選為2mm-12mm。
所述孔洞邊緣倒角與掩膜板垂直方向所呈夾角為10°-45°。
本發(fā)明的目的還可通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):本發(fā)明之掩膜板僅包括掩膜本體,其特征在于,所述掩膜本體上設(shè)置的供被蒸鍍材料通過的孔洞邊緣側(cè)壁與掩膜板垂直方向呈夾角。
所述掩膜本體厚度為1mm-15mm,優(yōu)選為2mm-12mm。
所述孔洞邊緣側(cè)壁與掩膜板垂直方向所呈夾角為10°-45°。
本發(fā)明為克服超薄掩膜與厚邊框結(jié)合的現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),針對(duì)超薄掩膜孔洞易變形,清洗時(shí)兩者易脫開的缺陷,采用一體的厚掩膜板;另針對(duì)厚掩膜板蒸鍍精度低的缺陷,巧妙在掩膜板孔洞側(cè)壁上做出倒角,使得蒸鍍到基板上的材料的有效面積增大,近似實(shí)現(xiàn)超薄掩膜蒸鍍精度高的功能。
附圖說明
圖1為本發(fā)明對(duì)比例1的蒸鍍路徑剖視圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例1的蒸鍍路徑剖視圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例2的蒸鍍路徑剖視圖;
圖4為本發(fā)明對(duì)比例1、實(shí)施例1及實(shí)施例2的蒸鍍面積對(duì)比剖視圖。
圖中:3-基板,4-蒸鍍圖形,5-掩膜板,6-蒸鍍?cè)?/p>
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明,為說明方便,本發(fā)明對(duì)比例、實(shí)施例均采用用于蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光器件陰極層的掩膜板。
對(duì)比例1
參照?qǐng)D1。本對(duì)比例之掩膜板5為現(xiàn)有用于蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光器件陰極層的掩膜板5,其厚度為3mm,孔洞邊緣側(cè)壁與掩膜板5垂直,圖1中蒸鍍路徑1-1、1-2分別為基板3處于某一位置時(shí),蒸鍍?cè)?蒸發(fā)材料透過掩膜板5孔洞形成圖形4最大面積的外緣,即由蒸鍍?cè)?外邊緣A點(diǎn)、內(nèi)邊緣B點(diǎn)出射的兩條蒸鍍路徑1-1、1-2,由圖可以看出,形成圖形4的最大面積取決于掩膜板5孔洞a、b兩頂點(diǎn)的位置,并為孔洞大小所限定。
實(shí)施例1
參照?qǐng)D2。本實(shí)施例之掩膜板5為用于蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光器件陰極層的掩膜板5,其厚度為3mm,孔洞邊緣側(cè)壁上半部分與掩膜板5垂直,下半部分與掩膜板5垂直方向呈45°夾角;圖2中蒸鍍路徑2-1、2-2分別為基板3處于某一位置時(shí),蒸鍍?cè)?蒸發(fā)材料透過掩膜板5孔洞形成圖形4最大面積的外緣,即由蒸鍍?cè)?外邊緣A點(diǎn)、內(nèi)邊緣B點(diǎn)出射的兩條蒸鍍路徑2-1、2-2,由圖可以看出,形成圖形4的最大面積取決于掩膜板5孔洞a’、b兩頂點(diǎn)的位置,b點(diǎn)為孔洞大小所限定,其位置同圖1;而a’點(diǎn)較圖1中a點(diǎn)有所上升,因此,路徑2-2較路徑2-1相對(duì)于孔洞中心軸線向外偏移,因此,路徑2-1、2-2相圍形成的圖形4較圖1中路徑1-1、1-2形成的圖形面積大。
實(shí)施例2
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





