[發明專利]壓電式合成射流器及其制作方法無效
| 申請號： | 200710018045.1 | 申請日： | 2007-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN101066542A | 公開（公告）日： | 2007-11-07 |
| 發明（設計）人： | 鄧進軍;苑偉政;馬炳和;朱業傳 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | B05B17/04 | 分類號： | B05B17/04 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 | 代理人： | 黃毅新 |
| 地址： | 710072陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓電 合成 射流 及其 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種壓電式合成射流器的制作方法，其特征在于包括以下步驟：首先將硅基體的上下表面拋光，然后采用低壓化學氣相沉積法在硅基體上沉積氮化硅層，在硅基體的下表面光刻形成掩模，按照腔體的形狀與大小，采用電化學腐蝕法制備多孔硅層，或者采用選擇性離子注入形成高阻區的方式制備多孔硅層；去除硅基體下表面腔體位置以外的氮化硅層，在硅基體的下表面采用低壓化學氣相沉積法沉積振動膜片，在振動膜片的表面沉積上電極，采用溶膠一凝膠法制備壓電材料，在壓電材料的下表面沉積下電極，在硅基體的上表面光刻并進行感應耦合等離子刻蝕形成噴口，釋放多孔硅形成腔體。
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