[發(fā)明專利]利用溶劑熱反應低溫合成氮化硅納米材料的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710016229.4 | 申請日： | 2007-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN101134569A | 公開（公告）日： | 2008-03-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 錢逸泰;郭春麗;邢政;徐立強 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | C01B31/36 | 分類號： | C01B31/36;B82B3/00 |
| 代理公司： | 濟南圣達專利商標事務所 | 代理人： | 李健康 |
| 地址： | 250061山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 溶劑 反應 低溫 合成 氮化 納米 材料 方法 | ||
1.一種利用溶劑熱反應低溫合成氮化硅納米材料的方法，其特征在于，按摩爾比2.8-5.8∶1∶0.8-2.7的量將SiCl4、NaN3和鎂粉混合，或以鐵粉為還原劑按摩爾比5.8-6.0∶1∶0.58-0.60的量將SiCl4、NaN3和鐵粉混合，密封在高壓釜中，于200℃-300℃反應10小時±0.5小時；產(chǎn)物經(jīng)酸洗、水洗、離心分離和干燥，即獲得以β-Si3N4為主的一維氮化硅納米材料。
2.如權利要求1所述利用溶劑熱反應低溫合成氮化硅納米材料的方法，其特征在于，按摩爾比5.8∶1∶1.0-1.3的量將SiCl4、NaN3和鎂粉混合，密封在高壓釜中，于200℃-300℃反應10小時±0.5小時；產(chǎn)物經(jīng)酸洗、水洗、離心分離和干燥，即獲得以β-Si3N4納米棒為主的氮化硅粉末。
3.如權利要求1所述利用溶劑熱反應低溫合成氮化硅納米材料的方法，其特征在于，按摩爾比2.8∶1∶2.7的量將SiCl4、NaN3和鎂粉混合，密封在高壓釜中，于300℃反應10小時±0.5小時；產(chǎn)物經(jīng)酸洗、水洗、離心分離和干燥，即獲得以β-Si3N4納米線為主的氮化硅粉末。
4.如權利要求1所述利用溶劑熱反應低溫合成氮化硅納米材料的方法，其特征在于，按摩爾比5.8∶1∶0.58的量將SiCl4、NaN3和鐵粉混合，密封在高壓釜中，于250℃反應10小時±0.5小時；產(chǎn)物經(jīng)酸洗、水洗、離心分離和干燥，即獲得以α-Si3N4納米線為主的氮化硅粉末。
5.如權利要求1、2或3所述利用溶劑熱反應低溫合成氮化硅納米材料的方法，其特征在于，所述鎂粉能用鋁粉或鈣粒替代。
6.如權利要求1或4所述利用溶劑熱反應低溫合成氮化硅納米材料的方法，其特征在于，所述鐵粉能用鎳粉或鈉粒替代。
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