[發明專利]一種在SiC襯底上制備的發光二極管無效
| 申請號： | 200710014444.0 | 申請日： | 2007-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN101060150A | 公開（公告）日： | 2007-10-24 |
| 發明（設計）人： | 徐現剛;寧麗娜;李樹強;胡小波;蔣民華 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 濟南圣達專利商標事務所 | 代理人： | 王書剛 |
| 地址： | 250061山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic 襯底 制備 發光二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種在SiC襯底上制備的發光二極管，其結構自上而下依次包括p型AlInGaN層、發光層、n型AlInGaN層和襯底，在p型AlInGaN層設有正極，在n型AlInGaN層設有負極，其特征在于：襯底為透明的SiC單晶晶片，該襯底在可見光范圍內是無色透明的，SiC單晶晶片的背景載流子濃度小于1×1016個/cm3，電阻率大于103Ω.cm。
2.根據權利要求1所述的在SiC襯底上制備的發光二極管，其特征在于：所述透明SiC單晶襯底的底面上設有金屬反射層。
3.根據權利要求1所述的在SiC襯底上制備的發光二極管，其特征在于：所述透明SiC單晶襯底是6H-SiC或者4H-SiC多型。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東大學，未經山東大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710014444.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
