[發明專利]一種共沉積梯度MCrAlY涂層及制備工藝無效
| 申請號: | 200710011432.2 | 申請日: | 2007-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN101310972A | 公開(公告)日: | 2008-11-26 |
| 發明(設計)人: | 孫超;鮑澤斌;王啟民;李偉洲;宮駿;華偉剛;肖金泉;劉山川;熊天英 | 申請(專利權)人: | 中國科學院金屬研究所 |
| 主分類號: | B32B33/00 | 分類號: | B32B33/00;B32B15/01;C23C14/22;C23C14/14;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 | 代理人: | 張志偉 |
| 地址: | 110016遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 沉積 梯度 mcraly 涂層 制備 工藝 | ||
1.一種共沉積梯度MCrAlY涂層的制備工藝,其特征在于:在MCrAlY涂層上沉積Al(SiY)涂層,形成Al元素濃度沿深度方向呈梯度分布的復合MCrAlY涂層,該梯度涂層表層Al元素濃度為20~35wt%,里層Al元素濃度為5~10wt%;共沉積涂層表面為富Al的β-NiAl層,Al主要分布在β-NiAl相中;內層為MCrAlY加彌散分布的β-NiAl相,Al元素分布在β-NiAl相和γ′-Ni3Al相中;
通過電弧離子鍍共沉積加真空擴散退火的方法制備梯度MCrAlY涂層:
首先采用電弧離子鍍技術沉積常規MCrAlY涂層,沉積參數為:真空室的本底真空2×10-3~1×10-2Pa;通入Ar氣,使真空室壓強升至5×10-2~3×10-1Pa;靶基距為230~250mm;轟擊偏壓-800~-1000V,占空比20~40%,濺射清洗時間2~5分鐘;沉積MCrAlY涂層時,弧電流50~70A,弧電壓20~25V,脈沖偏壓-150~-300V,占空比20~40%,沉積溫度300~400℃,制備的常規MCrAlY涂層厚度為40~60μm;
MCrAlY靶材合金成分,按質量百分比計,Co為0~40%,Cr為15~40%,Al為6~16%,Y為0.1~1%,Si為0~2%,B為0.01~0.03%,Hf為0~1.5%,Ni為余量;其中,M=Ni,Co或Ni+Co;
在常規MCrAlY涂層基礎上沉積Al(SiY)涂層,按質量百分比計,Al(SiY)名義成分為,Si:0~6%,Y:0~2%,Al:余量;沉積工藝同沉積常規MCrAlY涂層,沉積的Al(SiY)涂層厚度為10~15μm;
將得到的MCrAlY加Al(SiY)共沉積復合涂層進行真空熱處理,樣品在真空條件下900~1000℃擴散退火4~6h,升溫速率≤8℃/min,隨爐冷卻至室溫,得到Al濃度呈梯度分布的MCrAlY涂層。
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