[發明專利]利用金屬過渡層轉移GaN襯底的激光剝離方法

無效

• 申請號: 200710009396.6
• 申請日: 2007-08-22
• 公開（公告）號: CN101118850A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發明（設計）人: 陳松巖;張小英;汪建元;賴虹凱
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L21/20
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所
• 代理人: 馬應森

1.利用金屬過渡層轉移GaN襯底的激光剝離方法，其特征在于包括以下步驟：

1)在硅襯底上依次濺射Ti和Au，得濺射有Ti和Au的硅片；

2)在帶藍寶石襯底的GaN上依次濺射Ni和Au，得濺射有Ni和Au的氮化鎵片；

3)將濺射有Ti和Au的硅片與濺射有Ni和Au的氮化鎵片的金屬面面對面貼合，再放入鍵合機的內腔，溫度設置為100～200℃，進行預鍵合；

4)預鍵合后將鍵合機的溫度升高為200～600℃，退火，形成GaN/metal/Si鍵合片結構；

5)將鍵合片粘在玻璃片上，再固定在電動平臺上，用激光器進行激光掃描，激光波長大于365nm，從藍寶石一側對鍵合片進行輻照，即得到硅襯底上的GaN。

2.如權利要求1所述的利用金屬過渡層轉移GaN襯底的激光剝離方法，其特征在于在步驟1)中，Ti的厚度為10～50nm，Au的厚度為80～500nm。

3.如權利要求2所述的利用金屬過渡層轉移GaN襯底的激光剝離方法，其特征在于在步驟1)中，Ti的厚度為40nm，Au的厚度為200nm。

4.如權利要求1所述的利用金屬過渡層轉移GaN襯底的激光剝離方法，其特征在于在步驟2)中，Ni的厚度為10～50nm，Au的厚度為80～500nm。

5.如權利要求2所述的利用金屬過渡層轉移GaN襯底的激光剝離方法，其特征在于在步驟2)中，Ni的厚度為40nm，Au的厚度為200nm。

6.如權利要求1所述的利用金屬過渡層轉移GaN襯底的激光剝離方法，其特征在于在步驟3)中，溫度設置為150℃。

7.如權利要求1所述的利用金屬過渡層轉移GaN襯底的激光剝離方法，其特征在于在步驟4)中，預鍵合后將鍵合機的溫度升高為400℃。

8.如權利要求1所述的利用金屬過渡層轉移GaN襯底的激光剝離方法，其特征在于在步驟5)中，激光器的激光能量密度至少為200mJ/cm²。