[發(fā)明專利]低溫?zé)Y(jié)Ba5(Nb,Sb)4O15系的微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710008980.X | 申請日: | 2007-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN101050101A | 公開(公告)日: | 2007-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 熊兆賢;張沖 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門大學(xué) |
| 主分類號: | C04B35/01 | 分類號: | C04B35/01;C04B35/495;C04B35/622;C04B35/632;C04B35/64;H01B3/12 |
| 代理公司: | 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所 | 代理人: | 馬應(yīng)森 |
| 地址: | 361005福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低溫 燒結(jié) ba sub nb sb 15 微波 介質(zhì) 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種微波介質(zhì)陶瓷,尤其是涉及低溫?zé)Y(jié)中介電常數(shù)陶瓷材料與制備方法。
背景技術(shù)
進(jìn)入20世紀(jì)80年代以來,以微波應(yīng)用為代表的雷達(dá)及通訊技術(shù)的發(fā)展十分迅猛,尤其是在信息化浪潮席卷全球的今天,移動通訊如車載電話、個人便攜式移動電話和衛(wèi)星直播電視等正在迅猛增長,這為微波介質(zhì)陶瓷材料的發(fā)展提供了廣闊的前景。從降低成本和環(huán)保的角度考慮,一般要求多層結(jié)構(gòu)中的陶瓷介質(zhì)材料能與廉價的內(nèi)電極金屬銀或銅共燒。因此,這也對微波介質(zhì)陶瓷材料提出了更高的要求,陶瓷材料的燒結(jié)溫度不僅要低于1000℃,而且還要保持高的介電常數(shù)、高的品質(zhì)因數(shù)及低的頻率溫度系數(shù)。
目前主要研究的低溫?zé)Y(jié)體系主要有:Bi2O3-Nb2O5體系、ZnO-TiO2體系、鉛基鈣鈦礦體系、Ba(Zn1/3Ta1/3)O3體系和ZnO-Nb2O5體系等。采用的降低燒結(jié)溫度方法主要是:①摻加適量的低熔點氧化物及低熔點玻璃作為燒結(jié)助劑,進(jìn)行液相活性燒結(jié);③采用化學(xué)法制取表面活性高的粉體;③盡可能采用顆粒度細(xì)的材料或者選用固有燒結(jié)溫度較低的材料。其中化學(xué)合成與采用細(xì)顆粒材料方法的成本較高,不適合大規(guī)模生產(chǎn);摻加燒結(jié)助劑會明顯惡化材料的微波介電性能;而固有燒結(jié)溫度較低并且微波介電性能好的材料尋找難度較大。因此,以上部分體系不是燒結(jié)溫度偏高不能與廉價金屬共燒,就是諧振頻率溫度系數(shù)偏大、品質(zhì)因子低、與銀電極發(fā)生界面反應(yīng)等,真正能實用的低溫?zé)Y(jié)微波介質(zhì)陶瓷材料很少。近年來,Kamba報道了Ba5Nb4O15的微波介電陶瓷在1380℃燒結(jié)時具有較好的微波介電性能:εr=39,Q×f=23,700,τf=78ppm/℃(S.Kamba,J.Petzelt,E.Buixaderas,D.Haubrich,and?P.High?frequency?dielectric?properties?of?A5B4O15?microwave?ceramics,Journal?of?Applied?Physics,2001,89(7):3900-3906)。但由于Ba5Nb4O15較高的燒成溫度與諧振頻率溫度系數(shù)阻礙了其商業(yè)應(yīng)用。為降低燒成溫度,J.R.Kim?and?J.D.Kim等(1、J.R.Kim,D.W.Kim,H.S.Jungand?K.S.Hong,Low-temperature?sintering?and?microwave?dielectric?properties?of?Ba5Nb4O15with?ZnB2O4?glass,Journal?of?the?European?Ceramic?Society,2006,26:2105-2109;2、J.D.Kimand?E.S.Kim,Low?temperature?sintering?and?microwave?dielectric?properties?of?Ba5Nb4O15ceramics,Journal?of?the?Korean?Ceramic?Society,2004,41(10):783-787)分別報道了ZnB2O4和PbO-B2O3-SiO2摻雜可以使得Ba5Nb4O15的燒成溫度降低到900℃,但同時也嚴(yán)重惡化了Q×f值。為調(diào)整Ba5Nb4O15的τf值,Jawahar等(I.N.Jawahar,M.T.Sebastian?and?P.Mohananb,Microwave?dielectric?properties?of?Ba5-xSrxTa4O15,Ba5NbxTa4-xO15?and?Sr5NbxTa4-xO15?ceramics,Materials?Science?and?Engineering,2004,B106:207-212)報道了Ta取代Nb可以調(diào)低Ba5Nb4O15的τf值,但其調(diào)節(jié)的范圍有限,且明顯提高了體系的燒成溫度。
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